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关于N-channel 进入深线性区的情况

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 楼主| diablo7752 发表于 2008-9-25 13:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
线性, N-Channel, FET, MOS, MOSFET
国外的教材很难搞懂啊<br /><br />Vgs足够高，使Vgs-Vth&nbsp;&gt&gtVds，&nbsp;N-CHANNLmosfet进入深线性区<br /><br />这种情况的话，跨导gm不是应该提高才对吗？<br /><br />怎么教材说“线性区跨导下降”
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赤铸 发表于 2008-9-25 22:23 | 显示全部楼层

Vgs 刚超过 Vth 不多时，gm 最高

之后&nbsp;gm&nbsp;下降<br />gm&nbsp;应该理解为&nbsp;Id&nbsp;-&nbsp;Vgs&nbsp;曲线上每点的切线斜率<br />而不是&nbsp;Id&nbsp;的绝对值
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 楼主| diablo7752 发表于 2008-9-26 11:17 | 显示全部楼层

。。

&nbsp;Vgs-Vth&nbsp;&gt&gtVds&nbsp;不多时，应该是刚刚进入线性区<br /><br />线性区相对饱和区不是&nbsp;GM跟高才对吗
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