[DCDC] 请教一个BUCK电路中PMOS驱动问题

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st.you 发表于 2019-12-15 16:23 | 显示全部楼层

Q3射极少一个电阻

评论

[url=home.php?mod=space&uid=1103881]@戈卫东[/url] :Q3射极串一电阻接地。  发表于 2019-12-15 19:10
不明白。图画来看看?  发表于 2019-12-15 18:46
戈卫东 发表于 2019-12-15 18:45 | 显示全部楼层
imdx 发表于 2019-12-15 15:29
D1稳压管多少V?打个比方,取10V,很常见的门极电压。
那么输入VIN=30V时,PWM高电平时Q3饱和导通,Q3的V ...

电流是有限的。都不挂。
戈卫东 发表于 2019-12-15 18:49 | 显示全部楼层
imdx 发表于 2019-12-15 15:29
D1稳压管多少V?打个比方,取10V,很常见的门极电压。
那么输入VIN=30V时,PWM高电平时Q3饱和导通,Q3的V ...

你的电路给出的是VIN不高的情况。
VIN很高的话还有其他电路可以用,不一定要用这个。
 楼主| imdx 发表于 2019-12-15 19:34 | 显示全部楼层
戈卫东 发表于 2019-12-15 18:45
电流是有限的。都不挂。

有限具体是多少A?VIN是电源,驱动能力很强,30V电压源加到稳压管,二极管,饱和导通的三极管上,不挂就怪了。MOS的GS电压极限也就是20V。搞不好全挂。
 楼主| imdx 发表于 2019-12-15 19:35 | 显示全部楼层
本帖最后由 imdx 于 2019-12-15 19:45 编辑
戈卫东 发表于 2019-12-15 18:49
你的电路给出的是VIN不高的情况。
VIN很高的话还有其他电路可以用,不一定要用这个。 ...

VIN多高算不高?多高算很高?技术讨论尽量不要用这种模棱两可的词汇。那稳压管D1的作用又是什么呢?ps.如果VIN低于PMOS的GS极限电压,那驱动确实是很简单。
 楼主| imdx 发表于 2019-12-15 19:38 | 显示全部楼层
戈卫东 发表于 2019-12-15 18:49
你的电路给出的是VIN不高的情况。
VIN很高的话还有其他电路可以用,不一定要用这个。 ...

你现在可以再分析一下原帖中Q4的作用。
戈卫东 发表于 2019-12-15 20:37 | 显示全部楼层
我记得你这图是不能用的已经改过了。
改过之后的图你没用贴出来,你自己不能用的图拿出来给别人分析?
 楼主| imdx 发表于 2019-12-15 23:57 | 显示全部楼层
本帖最后由 imdx 于 2019-12-16 00:09 编辑
戈卫东 发表于 2019-12-15 20:37
我记得你这图是不能用的已经改过了。
改过之后的图你没用贴出来,你自己不能用的图拿出来给别人分析? ...

这个图本来就是成熟产品上的电路。产品换了PMOS型号,测试时在某些极端情况下发现这个问题,修改电路中中某个元件取值以后解决了。Q4负责PMOS开通,本来开通就没问题。你分析清楚了对你有好处,对我无所谓。
 楼主| imdx 发表于 2019-12-16 00:08 | 显示全部楼层

总结一下这个电路吧,避免读者掉坑:
1)VIN输入电压不能高于PMOS的GS极限电压。
2)D1稳压管无用可去掉。
3)开通和关断回路中无门极电阻不能控制开关速度
不过我有朋友用这个电路,3.9k开关频率,输入电压12V,反应工作一段时间以后Q1的be会开路损坏,原因至今没有搞清楚。

评论

[url=home.php?mod=space&uid=1103881]@戈卫东[/url] :开始顾左右而言他了,呵呵  发表于 2019-12-18 20:37
不懂还评论。谁给你的勇气。。。。  发表于 2019-12-16 12:07
tianxj01 发表于 2019-12-19 08:58 | 显示全部楼层
imdx 发表于 2019-12-16 00:08
总结一下这个电路吧,避免读者掉坑:
1)VIN输入电压不能高于PMOS的GS极限电压。
2)D1稳压管无用可去掉 ...

别总结了,你开始线路,离散性太大,特定管子才能推好,负载过程复杂,所以换管子就容易出现问题。
这类线路,根本在于既需要快速且可控的栅极驱动电流能力,又必须限制栅极电压不能超过开关P MOS管栅极耐压。其实说到这里已经很明确了,一个带限压的三极管共射放大器,串联一个电阻和稳压管就可以实现(为了0电流可靠截止,稳压管最好并联一个电阻),由于这时候输出阻抗还是比较高,则一个图腾柱直接解决问题。至于输出栅极速度控制,则可以通过在图腾柱射极串入不同电阻来控制,非常方便。这样的线路,没有复杂的负载过程,参数简洁,适应性强。。。。。
 楼主| imdx 发表于 2019-12-24 23:53 | 显示全部楼层
本帖最后由 imdx 于 2019-12-24 23:56 编辑
tianxj01 发表于 2019-12-19 08:58
别总结了,你开始线路,离散性太大,特定管子才能推好,负载过程复杂,所以换管子就容易出现问题。
这类 ...

还是没有图。如果有更好的电路,可以画出图来讨论。ps. 不可能用一种电路来推所有管子,这是常识。

tianxj01 发表于 2019-12-25 09:24 | 显示全部楼层
imdx 发表于 2019-12-24 23:53
还是没有图。如果有更好的电路,可以画出图来讨论。ps. 不可能用一种电路来推所有管子,这是常识。

...

上面已经完整描述了线路图,包括几个管子、稳压管什么的,如果你认为这还不能说明问题,那么讨论也就没有意义。
ailingg 发表于 2020-3-6 15:30 | 显示全部楼层
还是楼主的电路好一些,兼顾MOS导通时的限流与对输入电压的自适应。只是楼主的图画的是给火星人看的,看懂太不容易了。
ailingg 发表于 2020-3-6 17:13 | 显示全部楼层
本帖最后由 ailingg 于 2020-3-6 18:46 编辑

这样看起来是不是好懂多了,充电和放电回路是不是一目了然。
是否发现楼主的驱动电路这样画以后就是21楼那个驱动电路的变种?
楼主让人分析Q4的作用,这张图再清晰不过,除限制MOSFET GS充电电流外,就是兼做Q3基射的放电回路。



想想还是21楼的驱动电路简单实用,R20负反馈就能限制充电电流在300mA左右。



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ailingg 发表于 2020-3-7 18:01 | 显示全部楼层
本帖最后由 ailingg 于 2020-3-7 18:05 编辑

都不好,还是用推挽的好。

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consonance 发表于 2020-3-11 17:16 | 显示全部楼层
参考一下降压型DC-DC   CN5208

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SwPwr 发表于 2021-6-9 21:35 | 显示全部楼层
学习的来
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