低压大电流MOS/IGBT 过热保护最佳选择

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 楼主| littelfuse 发表于 2020-4-17 13:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
随着新能源汽车的发展,无刷电机普及,大功率MOS/IGBT应用越来越普及,虽然半导体工艺日益成熟,但是随着应用的普及,二次保护也迫切需要。
1、23度维持电流90A
2、最大阻断电流500A
3、工作环境-55度到150度
4、保护温度220度
5、SMD 封装 7*7*4mm,靠近MOS/IGBT安装
6、AECQ200认证
7、被动保护安全可靠
欢迎探讨手机同微信号 13776058669,QQ2489010293 苏州昊芯电子
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