本帖最后由 bbyeah 于 2011-12-11 19:55 编辑
MOS管使用IRF631,做了个仿真
N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
静态电流267.75mA(不要奇怪这个静态电流,50欧负载需要使Gm达到200mS以上,而且输出摆幅>20V限定了电阻上的静态电压降必须大于10V也就是至少也要200mA),输入输出直接耦合(改交流耦合很容易),带源级负反馈,输出负载电容1000pF(绝对大于正常情况下PCB上的分布电容),供电单电源30V
VG1,dc=4.3v;R1=50;R2=2
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