带隙基准的理论全貌

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 楼主| xukun977 发表于 2020-5-9 11:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

论坛上也有不少玩基准的,但一般都是使用芯片,注意PCB布局即可,几乎不用关心基准工作原理。
而设计IC必须搞懂基准原理。


关于带隙基准的**,IEEE上起码有上千篇,电路结构不同、性能指标不同。
但是几乎所有的基准,都是在下面这个关系式基础上做**的:


719275eb629f52b479.png

 楼主| xukun977 发表于 2020-5-9 12:01 | 显示全部楼层
本帖最后由 xukun977 于 2020-5-9 12:04 编辑


第一个基准,brokaw基准,**发表于1974年。

703135eb62ae63cce1.png




这个基准非常厉害,到今天还在大规模使用,例如AD580基准芯片:




797635eb62ad320ef7.png



这个基准的参考电压表达式为:

532215eb62b5c4a9a9.png


和顶楼公式比较可知,这种基准取的a是VG0,c是(1-m)K/q








 楼主| xukun977 发表于 2020-5-9 12:07 | 显示全部楼层


第二个基准是日本人提出的,无印良品:



326725eb62c34915e2.png



这个基准的a和c,和上面brokaw基准相同,但是两个基准的b不一样。




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