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半导体器件中两种载流子模型的证据

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 楼主| xukun977 发表于 2020-5-16 18:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
半导体器件, 模型, AC, 电压, 电子
本帖最后由 xukun977 于 2020-5-16 18:39 编辑

恰当地使用类比，可以让抽象的概念形象化，易于理解。
不过使用类比是危险的，因为毕竟是两种不同特性的事物，只能在某一方面具有相似性，如果夸大两种事物的相似性，很有可能会得到错误结论。


学习半导体器件理论，一般都是轻易的把空穴类比成倒向流动的电子，这个类比是危险的，看下面实验证据：


热探头实验：
把一电烙铁放在一N型和P型半导体上，然后用高阻电压表监视图中的电压极性，是正还是负。

214305ebfbfdb68625.png



为何对于N型半导体，图中的V是正的，而对于P型半导体，V是负的？




另一个证据是以前发帖说过的霍尔效应。

https://bbs.21ic.com/forum.php?mod=viewthread&tid=2935752&highlight=%E9%9C%8D%E5%B0%94



743705ebfc15d3788f.png


霍尔效应里面有个难点：洛伦兹力与电荷的极性无关！！！！！！
证明如下：

107675ebfc1b8b3991.png



电荷q没参与上式。

既然如此，不管是电子，还是空穴，都要往固定的一侧流动。


而热探头实验中，也有这个规律：不管多子是电子，还是空穴，都要从热处向冷处流动。


也正是因为如此，图中的电压极性才可正可负，取决于载流子带正电还是负电荷。



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