单结晶体管工作原理

发表于 2020-5-20 12:13

本帖最后由 xukun977 于 2020-5-20 12:30 编辑

发帖原因：网上和教科书上，说的太粗略了，补充一下。

首先注意结构特点：P发射结不是在N型材料的中间位置，而是偏上，靠近B2端，数量上是60%--75%位置段。

这个特点决定了这个器件不是上下对称的。

研究器件的电路特性，有多种方法，一是研究半导体物理，由底层器件物理推导出伏安特性；另一种方法是直接看等效电路，对于基础知识有所欠缺的，可以省力

单结晶体管的等效模型为：

发表于 2020-5-21 08:05

二极管D2是模拟啥的？

发表于 2021-11-1 23:23

是那个甚么「电导调制」令rb1减少吧？