半导体物理中的能级概念物理解释

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 楼主| xukun977 发表于 2020-6-13 13:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 xukun977 于 2020-6-14 09:36 编辑

前面已说,能级概念是中学物理/化学中元素周期表知识+一个类比,可构成基本理解体系,不需要深入探讨量子力学知识(学了反而可能也不是很清楚。)


中学学过的电子壳层与亚壳层分布规律:


213865ee45e54c552e.png


这个规律是由量子力学机理决定的,个人无需追问为什么。


填充规律是:亚壳层从里到外的优先级填满。

原子数=电子数,所以碳的原子结构为:
194815ee45f02c916d.png


或者画个允态和能级的表视图:

381695ee460e4c632f.png




第二步,重点理解能级分离的过程。


93025ee45fbc93f4e.png

上图非常经典,几乎所有的半导体书籍都要引用。

首先一点,上图中蓝色标志处,是结合能最小的位置,晶格间距理应在此,但实际上为何要在此点偏右位置,例如图中红线处???

理解能级分离,可以借助电路中的例子:
如下图所示,两个LC电路是独立的,之间没有任何耦合,它们可以振荡在相同的谐振频率。

36675ee4615daead5.png


只要电感之间有耦合,那么谐振频率就变了,就要产生两个新的振荡频率,也就说有两个振荡模式或状态。


220865ee461ac07e6a.png



对于其中的对称振荡模式,两个电容上电压之间,彼此是同相的:

344935ee4622eaeb6b.png



反对称模式下,两个电容上电压之间彼此是反相的。


可以预测,如果有3个相同LC电路之间互相耦合,那么将产生3个新的频率,如果是4个LC电路,那么将产生4个新的频率。。。

对于原子也是,如果是两个原子相互作用,那么能级将由1个分裂成2个,N个原子分裂成N个,而且相互之间耦合强度越大,分裂的越厉害。
虽然具体详细情形非常复杂,但根据上面类比,可以预知对于N个相同的原子,将分裂出N个新的【轨道态】。

这里解释一下什么叫轨道态?
对于硅锗之类的半导体晶体,其原子间距使得只有最外层----价键电子态会重叠,会严重改变其特征,而原子内层电子的轨道半径远远小于价键电子,这个系统轨道态近似等于单个原子的N倍,几乎不会与其它晶体原子共享。这是两者之间的特征。

为何总是N个轨道?
这个可以用电路理论中的自由度数目,或者是独立初始条件数目来说明。
对于上面的电路,如果没有耦合,那么两个电感电流可以独立确定,两个电容电压可以独立确定,所以得到的是两个独立的二阶微分方程。
如果有耦合作用,那么那么两个二阶方程就不是独立,而是相关的,进而变成了一个4阶微分方程,积分常数仍旧是4个。

所以,相互耦合,并不会改变系统的自由度。


 楼主| xukun977 发表于 2020-6-13 19:13 | 显示全部楼层
本帖最后由 xukun977 于 2020-6-13 19:27 编辑

根据电子壳层和亚壳层分布可知,s对应2个允许态,而p对应6个
如果是N个原子,那么分别对应2N和6N个:



762865ee4b4ccd68ba.png




所以这里是2和6:


831815ee4b5371d561.png



但是要注意:虽然p层有6个允许态,但是对于硅锗等半导体,实际上只有两个电子占据:

726165ee4b5b4bfc71.png



随着间距继续减小,P层下面那条线下移,S层对应的线上移,两者在某点开始,要融合到一起,如蓝线所示:



669965ee4b5feb71b1.png


间距继续减小,能级会变成上下两个,上面的叫导带,下面的叫价带,现在两个带平分秋色----允许态是一样多的,都是4个,但是实际电子在0℃被价带独吞了---4个电子全被他占领。

74155ee4b6c7cf1f7.png


原子间距,是由整个原子要具有最小能量的要求而决定的,单独考虑结合能,应该在下图中最低点,那儿是原子间距。
但是考虑到原子核之间的斥力,间距过小排斥力会很大,所以对于实际原子间距,应该在最小点偏右边一点之处。


225475ee4b7bb345eb.png





 楼主| xukun977 发表于 2020-6-13 19:29 | 显示全部楼层
本帖最后由 xukun977 于 2020-6-13 21:54 编辑

这里只是简介,具体详细信息,感兴趣的要花两个月时间,啃本专著。

看书,一开始是越看越厚--不可能只看某一本书,就能掌握绝大多数概念,必须查阅很多书籍,所以书是越看越多。
只看教材,肯定是不够的,说的东西太少太简单了。




146915ee4b897dddb6.png



用文言文,重述一遍上面的口头表述:
基于X射线和其它研究表面,大多数金属和半导体是晶体结构,晶体是由原子或分子(严格来讲,是离子),以某个基本结构单元搭建成在三维空间中规则性重复的空间阵列。与单个自由原子(如同气体一样,原子间距离足够远,以至于相互之间没有影响)的电能级是离散的不同,晶体结构决定的势能特征是空间的周期函数,势能在任一点的数值是所有原子贡献的结果。当原子构成晶体,内部壳层电子的能级几乎不因相邻原子的存在而受到明显的影响,但是外部壳层电子所受的影响非常显著,因为这些电子要与晶体中多于1个原子共享,这将改变外部壳层电子的能级,使用量子力学方法可以确定这些新的能级,结果表明:原子外部壳层电子之间的相互耦合,形成近距离的能态构成的能带,而非孤立原子的较宽隔离的能级。具体过程定性讨论如下:
对于碳硅锗等任一元素构成的材料,由N个原子构成一晶体,假设原子间距离可以随意改变,但不该变基本晶体结构,如果原子间的距离较远,以至于原子间的相互作用可以忽略,那么此时的能级和孤立原子的相同,以硅14为例,只考虑外部壳层,即n=3壳层中的亚壳层s和p,根据电子结构表示可知,s层和p层各有两个电子,对于N个原子构成的晶体,有2N个电子填满s层可能有的2N个态,而且能量完全相同,所以是一条线。亚壳层P层允许有6个的状态,但现在只有2个电子,所以只有三分之一个状态是填满的,也是相同的能级。




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用能级图表示上述过程为:



506085ee4da90ce9d7.png









 楼主| xukun977 发表于 2020-6-14 15:44 | 显示全部楼层


高掺杂浓度为何是10^18量级?

827405ee5d4977ee96.png



解释:

736205ee5d5128734b.png



代入参数可知,临界掺杂浓度是10^18~19量级的。






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