描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程？

发表于 2018-9-11 12:36

描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？

登录 · 发表于 2021-3-17 18:48

轻则宕，重则炸。

发表于 2021-3-17 19:00

本帖最后由 hk6108 于 2021-3-17 19:03 编辑

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发表于 2021-3-17 19:05

CMOS 与 IGBT ，都可视之为潜在的静电感应可控硅！
关于闩锁效应的图解，网上蛮多的，我把它重组，以pnpn为背景，把cmos直接嵌套其中，那些寄生元件与电路就甭画了吧。

发表于 2021-3-17 23:32

CMOS的沟道电源，就是「可控硅」的 Ie ，没有基极，如何能把 Ie 请出来？！
这「Ie」，正常情况下是不应跑向橘绿分界的，如果跑进去就大事不妙了，。