[电子元器件] 这个MOS是怎么实现降压的?

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 楼主| xilibubo2 发表于 2020-10-14 17:34 | 显示全部楼层 |阅读模式


为啥g和s的电压基本一致,g调整,s也跟着同步变,
什么原理

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叶春勇 发表于 2020-10-14 18:42 来自手机 | 显示全部楼层
g为13v,s在短暂的瞬间为0,根据nmos导通条件为大于vth,nmos的ds导通,然后r1有电流流过,产生压降。s电位上升,vgs压差变小,导致nmos导通下降。经反复调整,vgs保持在近似vth值

评论

[url=home.php?mod=space&uid=2763754]@xilibubo2[/url] :量vg电压和vgs不一样,vgs是vg扣掉r1电阻电压  发表于 2020-10-14 21:12
这里实际电路测试我用高于mos 最大Vgs的值,都没有弄坏,比如VGss是20V,我用40V都没弄坏  发表于 2020-10-14 19:57
戈卫东 发表于 2020-10-14 19:28 | 显示全部楼层
本来它应该是个源极跟随器,但负载电阻太大,MOS管的漏电流导致负载电压高于源极跟随器输出电压。。。
coody 发表于 2020-10-14 20:59 | 显示全部楼层
你把R1改为5.1K看看
airwill 发表于 2020-10-15 21:13 | 显示全部楼层
保持在 G S 的开启电压下,  才能维持放大状态
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