iap 卡死

发表于 2021-6-10 11:08

IAP编译下载之后串口发送APP程序,IAP把app写入芯片flash，写完跳转到app执行直接死机。但我把app编译下载到芯片，再次用IAP跳转过去就可以执行，之后再用串口发送app，IAP跳转过去也可以执行。
我又换了块板试了一下，发现就是要把IAP、APP都烧写进去，之后串口升级app才可以，只烧写IAP，IAP在跳转到app执行时会死机。这是什么问题？

发表于 2021-6-10 11:10

我查看下中断向量表的偏移是正确，SCB->VTOR的设置值和串口读出来的一样

发表于 2021-6-10 13:03

请问，有看AT32 AN0001吗？我估计是代码中记录状态flag没有处理好
https://www.arterytek.com/downlo ... USART_ZH_V1.0.2.pdf

发表于 2021-7-19 09:00

本帖最后由 mapleleaf0902 于 2021-7-19 09:01 编辑

楼主问题解决了吗？我也遇到同样的问题，是把正点原子IAP代码修改过来的，stm32可以只烧录iap程序，然后用串口发送app程序，但AT32需要iap和APP都烧录进去才行，只烧录iap进去，用串口发送APP会死机，都烧写进去才正常

发表于 2021-7-31 11:57

首先要明确一点，IAP程序的原理是纯软件行为。

发表于 2021-8-2 12:29

是不是IAP里面有状态变量在记录

发表于 2021-8-2 17:07

你将IAP的速度降来试试，看看是不是速度影响的？

发表于 2021-8-5 11:14

感觉好像接错地方了。

发表于 2021-8-5 20:23

貌似必须要先擦除一遍APP的flash区域。

发表于 2021-8-6 10:52

应该是IAP程序里FLASH需要一次擦1K,DEMO里是一次擦2K
.[attachimg]1726508[/attachimg,

发表于 2021-8-6 16:29

鱼的**888 发表于 2021-8-6 10:52
应该是IAP程序里FLASH需要一次擦1K,DEMO里是一次擦2K
.

FLASH一次擦多少得看芯片具体型号对应的FLASH大小，要是问题在擦写这的话，他第一种情况应该都升级不成功，听描述我感觉问题还是在中断向量表上面

发表于 2021-8-7 12:36

IAP不错的，烧录也很快的，不错的。

发表于 2021-8-9 07:36

是不是烧写地址偏移不对

发表于 2022-8-7 09:22

iap有三个地方要修改中断偏移，可能是这里的问题

发表于 2022-8-8 08:07

肯定的啊

发表于 2022-8-12 17:56

哥，我这有技术支持 13122576612

发表于 2022-8-16 16:32

有解决办法了吗？我也碰到了类似的问题

发表于 2022-8-16 17:02

搞定了，记得不要把优化等级调的太高。。。

[AT32F415] iap 卡死

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