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[技术讨论] 如何防止DC/DC的冲击电流

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 楼主| ee168 发表于 2022-2-14 11:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
DC/DC, 冲击电流, lm, LM2596, 电容, 电源
输入电压24V,采用LM2596输出5V

电源输入插口插入时接头打火

我认为主要是24V输入时有个大电容导致的,所以通过控制LM2596的延时启动是无效的

电容前加个MOS管之类是不是太复杂,NTC不知道行不行,有什么型号

有什么其它好办法吗?
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wanwenhao1 发表于 2022-2-14 22:32 | 显示全部楼层
NTC需要发热才能降低压降，损失电能，不行。

电容前加个MOS管，让其上电后缓慢开通至全开，是有些复杂，但你有这个要求，也就只能接受其复杂。
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jrcsh 发表于 2022-2-15 03:00 | 显示全部楼层
10几块钱 的热拔叉IC~~~~ 上么
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 楼主| ee168 发表于 2022-2-15 07:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 ee168 于 2022-2-15 07:08 编辑

用配电芯片,这些芯片放在电容之前,并且有EN脚可以延时启动,元件也比较少,可以满足功能,但是这些芯片都是耐压5V的,有什么型号耐压高一点的吗?
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ASHYLAI 发表于 2022-2-15 07:13 | 显示全部楼层
大佬都沉默了。
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QuakeGod 发表于 2022-2-15 08:00 | 显示全部楼层
wanwenhao1 发表于 2022-2-14 22:32
NTC需要发热才能降低压降，损失电能，不行。

电容前加个MOS管，让其上电后缓慢开通至全开，是有些复杂，但 ...

你前面不管加什么东西，都会发热损失电能，
而且发热量跟你选什么东西没关系，只跟大电容容量有关。

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hjl2832 发表于 2022-2-15 08:43 | 显示全部楼层
楼主可参考开关电源的电路，在输入滤波的大电解电容上串联一个小阻值的电阻，限制电容的瞬间大电流。缺点是增大了电容的等效电阻。
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yueguang3048 发表于 2022-2-15 09:11 | 显示全部楼层
参考6楼  即前面的输入电容选择ESR大的电解电容。
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mailshichao 发表于 2022-2-15 09:28 | 显示全部楼层
参考6楼，在输入端串口电阻，再用继电器或者mos管在上电后延时短路电阻
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lfc315 发表于 2022-2-15 09:57 | 显示全部楼层
好办法就是插好再通电
不错的办法是MOS管逐渐导通，也就4个元件。
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六方晶碳
对！一只MOS，2只电阻，一只电容  发表于 2022-2-15 11:09
wanwenhao1 发表于 2022-2-16 21:12 | 显示全部楼层
本帖最后由 wanwenhao1 于 2022-2-16 21:25 编辑
QuakeGod 发表于 2022-2-15 08:00
你前面不管加什么东西，都会发热损失电能，
而且发热量跟你选什么东西没关系，只跟大电容容量有关。

NTC需要长期发热，保持高温才能保证低阻状态，MOS管只在上电的几秒钟时间因处于线性的过渡状态而发热（MOS管完全导通后内阻极小，基本不再发热）。你认为两者的发热量能同日而语吗！

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wanwenhao1
@QuakeGod ：图中并未标注轴的量化指标，只作为定性分析用。大容量的电容器启动瞬间确实等于短路状态，但是启动瞬间电源输出电压极低，所以冲击电流虽然比纯电阻大，还是能被大幅度削弱的。相同情况下，可以设计软启动的时间更长，也基本能达到如同纯电阻电路那种启动曲线。  发表于 2022-2-21 09:34
QuakeGod
看来你根本没搞清楚状况。你那个图是阻性负载软起动的图，根本没考虑输入大容量电容的问题。 加上大容量输入电容后，启动电流远超额定电流，所以才会产生火花。 楼主的电路后面负载不需要软起动，只需要解决插头打火花的问题。 所以软起动时间亚秒级即可，这段时间，只需要考虑输入电容的影响。 一般启动的时候的冲击电流远大于正常工作的额定电流。  发表于 2022-2-21 09:07
 楼主| ee168 发表于 2022-2-19 19:15 | 显示全部楼层
有谁考虑过用晶闸管来实现没有?
它比MOS管便宜,也好控制,当然MOS管功耗更小,但是,晶闸管有单向导电特性,平时我们设计电路时防止反向电压,特意在前面加个二极管
不知道有什么其它缺点?有谁测试过没有?
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 楼主| ee168 发表于 2022-2-19 19:32 | 显示全部楼层

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chunyang
功能上可以实现，但问题是可控硅的导通压降太高，且一直存在，这个损耗可太不值得了，故此方案事实上不可取。  发表于 2022-2-28 18:51
wanwenhao1
楼主要求减小开机瞬间的冲击电流，可控硅达到这个目的吧。  发表于 2022-2-20 09:58
gx_huang 发表于 2022-2-20 18:33 | 显示全部楼层
LS这个可控硅的图，肯定不行
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gbchenyg 发表于 2022-2-23 17:57 | 显示全部楼层
我是加的MOS管，还没批量生产。

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wanwenhao1
你这延时电路有问题，Pmos管的内部寄生二极管处于导通状态，整个电路上电即（通过寄生二极管）开通，无法实现延时功能。 将Pmod管S和D极反接，将延时用的C26、R30有关的电路放在电源输入端才正确吧。  发表于 2022-2-28 21:41
 楼主| ee168 发表于 2022-2-28 11:11 | 显示全部楼层
USB有延时启动的配电芯片,价格也不高,是不是用配电芯片好点
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chunyang 发表于 2022-2-28 18:49 | 显示全部楼层
有足够容量的滤波电容存在，电源芯片的延时启动自然无意义。非要解决的话，串电阻，再在电阻上并个低导通内阻的MOS管延时导通是功耗、成本等的最优方案。
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wanwenhao1
完全正确！  发表于 2022-3-1 16:56
chunyang 发表于 2022-2-28 18:55 | 显示全部楼层
用串电阻再并MOS管的方法在极限时可以省略掉电阻，直接MOS管延时导通控制。只是那样管子会存在浪涌冲击，需要注意规格的选择，免得留下可靠性隐患。
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wanwenhao1
@chunyang ：你说的这个是正确的！即在串联电阻减小冲击电流的基础上，用MOS管并联在这个电阻上，延时将这个电阻短路。  发表于 2022-3-1 16:55
chunyang
@wanwenhao1 ：如果串电阻（跟MOS管的关系是并联），MOS管的瞬态电流就会减小，电阻阻值越低冲击越小，但打火现象也会随之加重。  发表于 2022-3-1 14:12
chunyang
@wanwenhao1 ：此贴里我表达的就是这个意思，此时存在浪涌冲击，而MOS管处于线性态，导通内阻较高，瞬态耗散功率较大，故需要注意选择管子的型号。  发表于 2022-3-1 14:07
wanwenhao1
楼主需要的不是MOS管延时导通，而是利用MOS管的放大状态作为过渡，让MOS管缓慢导通至最后完全导通，这个缓慢导通的过渡状态只要允许时间长一点（好几秒吧），完全可以避免大电容器充电的电流冲击。  发表于 2022-2-28 21:49
gbchenyg 发表于 2022-3-10 12:23 | 显示全部楼层
不知道你说的是这个二极管吗？

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