场效应管驱动

发表于 2022-10-23 17:55

场效应管驱动，为何加一电阻R57
这个电阻的作用是什么，
阻值该怎么选择~

发表于 2022-10-23 21:24

你这个用的是NMOS管吧，可以查一下相关手册确认一下

发表于 2022-11-2 20:50

可以查看一下相关手册

发表于 2022-11-7 13:15

为提高开关速率并降低开关损耗，可以通过改变栅极串联电阻控制开通过程中的峰值电流

发表于 2022-11-7 13:37

在运行频率较低时，开关损耗所占比例较小，驱动电压的上升、下降速率可以减慢些，反之相反。

发表于 2022-11-7 13:47

场效应管栅极与源极间的电阻起到保护场效应管不被静电击穿的作用，取值10K。栅极串联电阻决定场效应管的开通速度，取10~47欧。

发表于 2022-11-7 13:59

由于场效应管栅极的输入电阻很大，所以，只要这个驱动电阻不是很大（远小于栅极电阻，一般都是这样取用的），那么它就对场效应管的性能没什么影响，反之，如果栅极临近击穿，电流增大，它有限流的作用，可以保护场效应管。

发表于 2022-11-7 14:28

由于g、s极间有电容存在存储大量电荷而影响开关速度。所以需要用电阻来为g\s的电荷提供泄放通路。

发表于 2022-11-7 14:43

栅极串电阻，为了减小MOSFET的 di/dt EMI一般是在这个电阻上反向并联二极管

发表于 2022-11-19 17:27

驱动电阻够小就对mos没啥影响

发表于 2022-11-19 17:49

提高开关速率并降低开关损耗

[MM32硬件] 场效应管驱动