芯源的MOSFET采用什么工艺？

发表于 2023-8-24 10:40

采用的是超级结工艺。超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件开发的，用于改善导通电阻与击穿电压之间的矛盾。采用超级结技术有助于降低导通电阻，并提高MOS管开关速度，基于该技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。

发表于 2023-8-25 13:07

这个是新工艺吧，确实芯源提高MOS管开关速度就提升效率

发表于 2023-8-27 20:44

超级结技术是新工艺，MOS管良品率怎样，量产了嘛

发表于 2023-8-27 21:22

超级结技术有助于降低导通电阻提高开关频率

发表于 2023-8-29 09:11

采用超级结技术有助于降低导通电阻，并提高MOS管开关速度

发表于 2023-8-29 09:12

采用的是超级结工艺

发表于 2023-8-29 09:12

超级结技术有助于降低导通电阻

发表于 2023-8-29 09:13

基于该技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。

发表于 2023-8-29 09:14

算是一个新的工艺了

发表于 2023-8-29 09:28

新工艺确实芯源提高MOS管开关速度就提升效率

发表于 2023-8-29 09:28

专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件开发的

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