[技术支持] 为什么MOSFET可能会面临反向电压问题?

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 楼主| 家有两宝呀 发表于 2023-12-30 11:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
为什么MOSFET可能会面临反向电压问题?


如果没有反并联二极管,这样的反向电压可能导致MOSFET的反向导通,会破坏器件。 为什么会面临这个问题呢?
卢浮宫的卢 发表于 2024-1-4 13:46 | 显示全部楼层
具体电路呢?
elephant00 发表于 2024-1-11 10:27 | 显示全部楼层
主要原因在于其特殊的工作原理和物理结构。
两只袜子 发表于 2024-1-11 10:28 | 显示全部楼层
MOSFET的栅极电压控制着漏极和源极之间的电流。当栅极电压为高电平时,MOSFET导通,电流可以通过。然而,当MOSFET关断时,由于负载电感的存在,电流无法瞬间中断,这会导致一个反向电压冲击。这个冲击会在负载电感两端产生,并传播到MOSFET的源极。由于MOSFET的物理结构,这个反向电压冲击可能导致基极发射结瞬间击穿,产生一个反向电流。这个反向电流会瞬间将MOSFET的源极电位拉低,从而使MOSFET进入一个高阻态,即关断状态。
jcky001 发表于 2024-1-11 10:28 | 显示全部楼层
MOSFET的反向耐压是有限的。当负载电感产生的反向电压冲击非常高时,MOSFET的基极发射结无法承受,因此会导致击穿。
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