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[逆变器] 加直流高压时MOS的VDS波形异常

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 楼主| 王栋春 发表于 2024-6-26 22:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
高压, 直流高压, 直流, os, MOS
SiC全桥逆变拓扑加LC滤波，设置固定调制比开环测试，60V直流电压下，正常输出正弦波，加压到200V过程中，在60到200V的上升过程中输出正常，到达200V时输出畸变严重，查看MOS的VDS波形如下图；请教各位大神，可能是什么原因造成的？

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