实现Flash模拟EEPROM的基本步骤

发表于 2025-5-31 21:39

Flash 擅长按页/块擦除和写入，不能直接覆盖写入；

EEPROM 支持按字节写入和擦除。

发表于 2025-5-31 21:40

Flash只能从1写0，不能直接改回1，因此写入要注意顺序和数据完整性。

发表于 2025-5-31 23:40

在需要非易失性存储的时候，除了把数据存在外置EEPROM外，利用内部的Data Flash 用于Flash 模拟EEPROM 是一种更加经济型的选择

发表于 2025-6-2 10:19

flash模拟eeprom的意义何在？

发表于 2025-6-10 15:43

写入数据前确保扇区擦除完成，使用适当的写入命令和数据缓冲区即可。

发表于 2025-6-11 07:33

意义不大吧，FLASH本身也不适合频繁擦除。

发表于 2025-6-11 08:16

本质上并没有任何不同，只是把接口方式重新写了一下，flash是不适合像eeprom那样频繁读写的。

发表于 2025-6-11 17:24

使用非破坏性读取方法，如逐字节读取，避免连续读写操作，减少对Flash的磨损。

发表于 2025-6-14 15:54

XMC1000微控制器能通过模拟实现EEPROM功能，方便存储数据。

发表于 2025-6-15 15:56

将单片机内Flash分成两部分，一部分作为普通存储，另一部分模拟EEPROM使用，用于数据保存。

发表于 2025-6-18 13:35

模拟EEPROM使用Flash相对安全，但需注意防止数据损坏，确保写操作正确无误。

发表于 2025-6-19 12:49

不同设备间的读写逻辑确实不同，需要根据具体型号和协议进行适配。

发表于 2025-6-20 23:29

Flash能大块删除写入，但不能覆盖，而EEPROM可以按字节修改。

发表于 2025-6-22 13:26

频繁擦除对Flash确实不利，选择存储介质时应考虑使用更耐用的类型。

[通用 MCU] 实现Flash模拟EEPROM的基本步骤