STM32H743一个扇区128K，扇区中间地址写数据，地址前后的数据内容不变，有什么好的方法？

发表于 2025-1-24 14:18

把扇区里的数据全都备份到RAM或者外部存储，修改后再整体写回去，这样能保证其他数据不丢失。

发表于 2025-1-24 14:19

STM32的闪存支持双区，你可以试试用两个扇区轮流存数据，擦除一个扇区时把数据临时存到另一个。

发表于 2025-1-24 14:21

平时如果经常需要修改小数据，可以试试加个文件系统，比如FatFS或者LittleFS，方便管理数据块。

发表于 2025-1-24 14:22

如果对擦除速度要求不高，还是按步骤来：先备份，修改数据，再写回。这个方法稳得很。

发表于 2025-1-24 14:23

你也可以试试用外部QSPI闪存，很多支持按页擦除，粒度更小，操作更灵活。

发表于 2025-1-24 14:25

想省事一点的话，可以把要写入的数据设计成循环存储，比如用日志的方式，不用频繁改动老数据。

发表于 2025-1-24 14:26

如果预算允许，直接上STM32H7系列支持的片上NOR闪存，它有些型号的擦除粒度比128K更小。

发表于 2025-1-24 15:02

全部读出，再擦除，再写入

发表于 2025-1-24 15:03

周半梅发表于 2025-1-24 14:16
你可以用外部的EEPROM或者FRAM存储小块数据，这样就不用担心扇区擦除的问题了。 ...

这个办法好，小数局用eep，大数据用flash

发表于 2025-1-25 17:50

扇区地址不是固定的吗？

发表于 2025-1-25 21:26

然后擦除指定地址的数据，很好

发表于 2025-1-26 22:24

这个操作的意义是什么？我觉得把数据放在后面比较好，程序放在前面比较好

发表于 2025-1-27 15:18

写入数据需要擦除整个扇区。该扇区的其他数据页已被擦除。为什么不更改该扇区其他地址的数据？

[STM32H7] STM32H743一个扇区128K，扇区中间地址写数据，地址前后的数据内容不变，有什么好的方法？