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[逆变器] 死区时间问题

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 楼主| 王栋春 发表于 2024-10-9 21:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
芯片, LLC, MOS, MOS管, os
请教一下，如果半桥LLC芯片的死区时间是300ns,而半桥驱动芯片的死区是150ns，搭配使用的话，那MOS管上下管的死区时间是多大？两者相加吗？
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Siderlee 发表于 2024-10-23 09:00 | 显示全部楼层
看驱动芯片的的逻辑
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 楼主| 王栋春 发表于 2024-10-23 09:41 | 显示全部楼层
Siderlee 发表于 2024-10-23 09:00
看驱动芯片的的逻辑

谢谢，还能具体一点说说吗？
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Siderlee 发表于 2024-10-24 17:20 | 显示全部楼层
一般情况下取最大
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 楼主| 王栋春 发表于 2024-10-25 08:04 | 显示全部楼层
Siderlee 发表于 2024-10-24 17:20
一般情况下取最大

谢谢，我改天测试一下看看效果。
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