英飞凌TLE9877使用Flash中的EEPROM写入数据

发表于 2024-10-29 08:37

英飞凌TLE9877如何使用Flash中的EEPROM写入数据，大概每次写入几个字节的数据内容，还要能读取出来，我要怎么实现呢。

zh123zh · 发表于 2024-10-30 13:42

flash中的eeprom是什么意思？你是要访问片内存储区么

发表于 2024-10-30 14:57

可不可以单独烧录EEPROM？

zh123zh · 发表于 2024-10-30 19:13

直接读取对速率有要求嘛？

发表于 2024-10-30 19:59

Flash中的EEPROM这2个是不一样的东西

发表于 2024-10-30 22:51

访问falsh？

发表于 2024-10-31 08:12

小小蚂蚁举千斤发表于 2024-10-30 22:51
访问falsh？

我的理解是NVM内存模块（嵌入式闪存）中有4KB的可配置扇区，其中硬件集成支持EEPROM仿真，可以通过映射RAM集成EEPROM仿真，然后我们就需要使用这4KB写入数据。

发表于 2024-12-2 14:45

建议查看TLE9877的官方数据手册和任何相关的应用指南。

发表于 2024-12-2 15:35

非常不错的分享，讲解很详细

发表于 2024-12-2 21:50

小夏天的大西瓜发表于 2024-10-30 19:59
Flash中的EEPROM这2个是不一样的东西

flash中的eeprom是什么事件，如何理解

发表于 2024-12-2 21:51

Amazingxixixi 发表于 2024-10-30 14:57
可不可以单独烧录EEPROM？

一般是可以单独操作

发表于 2024-12-2 21:51

中国龙芯CDX 发表于 2024-10-30 19:13
直接读取对速率有要求嘛？

要慢一些，加延时

发表于 2025-1-31 23:45

TLE9877的Flash存储器可以通过页面擦除和字节编程来模拟EEPROM行为。

发表于 2025-2-27 11:29

模拟 EEPROM 存储区域，专门用于存储数据。通常，这部分区域不用于存储应用代码，避免影响程序的正常执行。

发表于 2025-2-27 20:53

kepe 发表于 2025-2-27 11:29
模拟 EEPROM 存储区域，专门用于存储数据。通常，这部分区域不用于存储应用代码，避免影响程序的正常执行。 ...

那读写时是字节还是块

发表于 2025-2-28 08:14

kepe 发表于 2025-2-27 11:29
模拟 EEPROM 存储区域，专门用于存储数据。通常，这部分区域不用于存储应用代码，避免影响程序的正常执行。 ...

不存储代码程序，仅用于存储一些字节顺序还是可以的，有API函数可以按页写入数据，我认为是可以编写功能函数实现按字节写入，但是每次操作的好像还是一页数据，也就是128byte。

发表于 2025-4-29 11:25

TLE9877 使用 Flash 存储器来模拟 EEPROM，您可以通过对 Flash 区域的直接读写操作来模拟 EEPROM 数据的存取。

发表于 2025-4-29 11:29

Flash 存储器中有一个区域专门用于模拟 EEPROM 功能。在每次写入数据时，Flash 存储器的内容会被更新，并且可以读取。

发表于 2025-4-29 11:30

一旦数据写入 Flash 区域，您可以使用读取命令从指定的 Flash 地址中读取数据。