PWM控制NMOS开关电路发热一般是怎么回事？

发表于 2025-3-10 13:03

发表于 2025-3-13 10:09

没有完全打开吗？看看波形是不是发生了形变。

发表于 2025-3-13 17:13

PWM频率过高导致管子频繁开关会增加功耗，另外PWM驱动能力不够导致管子无法快速关断也会增加功耗

发表于 2025-3-14 14:25

锵才才发表于 2025-3-13 17:13
PWM频率过高导致管子频繁开关会增加功耗，另外PWM驱动能力不够导致管子无法快速关断也会增加功耗 ...

另外IO设置为哪个模式合适呢？开漏、推挽、准双向？哪个合适？

发表于 2025-3-14 16:35

看MOS管的数据手册，看你MCU的IO驱动能力能不能完全达到MOS管的要求

发表于 2025-3-20 17:05

gejigeji521 发表于 2025-3-14 14:25
另外IO设置为哪个模式合适呢？开漏、推挽、准双向？哪个合适？

开漏要加上拉电阻，切换速度稍慢，但隔离性好。推挽切换速度快，驱动能力也不错，一般建议用推挽，准双向似乎是用于特定的I/O

发表于 2025-3-27 15:35

频繁的开关会使 NMOS 发热严重。

发表于 2025-4-18 13:11

NMOS在PWM信号控制下频繁开关，当栅极驱动电压上升/下降速度不足时，开关过程会变慢，导致NMOS在导通和截止状态之间存在半导通区（此时电阻较大），产生较大功率损耗。

发表于 2025-4-18 14:15

在开关过程中会通过米勒效应放大漏极电压变化，导致栅极电压振荡，延长开关时间，增加损耗。

发表于 2025-4-18 15:22

如果选用的NMOS导通电阻过大，或驱动电流不足导致NMOS未完全导通，损耗会显著增加。

发表于 2025-4-18 16:26

栅极驱动能力不足驱动电流过小，导致栅极电压上升/下降速度慢，开关时间延长。

发表于 2025-4-18 17:43

负载电流超过NMOS的额定电流，导致过大的导通损耗。

发表于 2025-4-18 18:52

超过NMOS的耐压值，可能引发雪崩击穿，产生大量热量。

发表于 2025-4-18 21:03

封装散热能力不足，或PCB布局不合理，导致热量无法有效散发。

发表于 2025-4-18 22:14

PCB走线寄生电感、电容在高频开关时产生振荡，增加损耗。

发表于 2025-4-19 10:07

PWM信号受干扰，导致NMOS误动作，增加开关损耗。

发表于 2025-4-19 12:31

使用专用栅极驱动芯片（如IR2104、TPS28225），提供足够的驱动电流和电压。

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