在半桥拓扑（如LLC、Buck、Boost等）中，上下管驱动时序至关重要，不当控制会导致：
共通现象（Shoot-Through）：上下管短暂同时导通，引发短路电流，损坏MOSFET。
自举电容失效：高边驱动依赖自举电容供电，若充电时间不足，会导致高边驱动电压不足，MOSFET导通损耗剧增。
传统解决方案的缺陷：
固定死区时间：无法适应负载变化，轻载时死区过长导致效率下降。
纯硬件保护：响应速度有限，仍可能发生纳秒级共通。
2. HC32F334的“空闲模式跟随”机制
HC32F334通过硬件协同软件的“空闲模式跟随”（Idle Mode Tracking）功能，动态优化半桥驱动时序，核心原理如下：
（1）动态死区调整
实时检测PWM边沿：利用高分辨率定时器（150ps级）捕获上下管驱动信号的上升/下降沿。
自适应死区算法：
根据负载电流（通过ADC采样）调整死区时间（如重载延长死区，轻载缩短）。
结合MOSFET的开关特性（如Qg、Coss）计算最优死区，避免共通的同时减少死区损耗。
（2）自举电容充电管理
空闲窗口插入：
在低边管导通期间（高边管关闭），强制插入一段“空闲时间”（Idle Time），确保自举电容充分充电。
HC32F334的PWM模块支持硬件自动插入空闲窗口，无需CPU干预，避免软件延迟。
电压监控：通过内部比较器监测自举电容电压（VBST），若电压不足，自动延长空闲时间。
|
|
楼主
