内部Flash写入的时候能不能跑程序？会不会卡死？

发表于 2025-5-7 07:29

我用Flash写数据，感觉程序卡顿一两秒，是Flash接口锁住了总线吗？

发表于 2025-5-7 07:33

尝试先写缓存，空闲再烧。

发表于 2025-5-7 07:34

Flash写入时CPU是会阻塞的。

发表于 2025-5-7 07:35

有些型号可以边写边跑RAM段程序。

发表于 2025-5-7 07:36

用EEPROM仿真区会不会好点？

发表于 2025-5-7 07:37

你有跑中断吗？会不会也被锁了？

发表于 2025-5-7 07:37

看下程序是不是直接写主Flash区了？

发表于 2025-5-7 07:38

我是DMA写RAM然后定期写Flash。

发表于 2025-5-7 07:39

Flash擦写一次要几毫秒的。

发表于 2025-5-7 07:40

会不会写频繁把Flash写坏了？

发表于 2025-5-7 07:41

你在跑FreeRTOS没？可能调度出问题。

发表于 2025-5-12 15:30

在STM32F4内部Flash写入时程序仍可运行，但会出现卡顿现象，原因是Flash接口锁住了总线

发表于 2025-5-12 15:53

CAN总线上的每个节点都有一定负载效应，支线过长会使这些负载效应累积，加重总线负载，影响通信速率和稳定性，尤其在高速通信时更为明显。

发表于 2025-5-12 16:00

在STM32F4中，执行Flash的写入或擦除操作时，任何对Flash的读操作都会导致总线阻塞。这是因为Flash的编程/擦除控制器（FPEC）在操作期间会独占总线，阻止其他访问请求，直到操作完成。

发表于 2025-5-12 16:30

由于程序代码存储在Flash中，总线被锁时CPU无法从Flash读取指令，导致程序执行暂停，表现为卡顿。

发表于 2025-5-12 17:00

一般来说你可以去掉终端电阻试试，也许会好使

发表于 2025-5-12 17:30

在Flash操作期间，若发生中断，CPU需等待总线解锁后才能响应中断服务例程，导致中断响应延迟，进一步加剧卡顿。

发表于 2025-5-12 17:30

若总线两端未正确接入120Ω终端电阻，或多个节点错误接入终端电阻，会引起总线波形畸变，导致通信异常。

发表于 2025-5-12 18:00

优化Flash操作频率，减少不必要的Flash写入，合并多次小数据写入为一次大数据写入，降低总线占用时间。

发表于 2025-5-12 18:00

使用DMA或双缓冲机制，将待写入数据先存储在RAM中，再一次性写入Flash，减少总线占用时间。

[STM32F4] 内部Flash写入的时候能不能跑程序？会不会卡死？