分享一下片内flash使用小技巧--轮询写入

发表于 2025-8-11 20:27

在写入Flash之前，需要先擦除目标区域。擦除操作通常比写入操作耗时更长

发表于 2025-8-11 23:29

当索引到达扇区末尾时，可以回到扇区的起始位置继续写入，形成一个循环。这样，只有在最开始的时候才会擦除Flash，大大减少了擦除次数。

发表于 2025-8-12 02:31

相应的保护机制（如写保护、读保护等）已经启用，避免意外修改或损坏Flash内容。

发表于 2025-8-12 05:33

解锁：在写入之前，需要解锁Flash区域。
编程：将数据写入Flash。
验证：检查写入的数据是否正确。
锁定：写入完成后，锁定Flash区域以防止意外修改。

发表于 2025-8-12 13:09

写入速度受Flash编程速度的限制，而可靠性则需要通过不断的检查和验证来保证。

发表于 2025-8-12 15:20

使用写入保护机制锁定Flash区域，防止意外修改。

发表于 2025-8-12 17:07

编写一个轮询写入函数，该函数接受要写入的数据和目标地址作为参数。

发表于 2025-8-12 18:05

轮询写入是一种在写入数据后不断检查Flash状态，直到写入完成的方法。

发表于 2025-8-12 19:14

从识别出的索引地址开始写入数据，不需要擦除Flash。每次写入后，索引自增数据长度的大小。

发表于 2025-8-12 19:46

GD32F4提供了写入保护功能，可以在不需要写入时锁定Flash区域，以防止意外修改。

发表于 2025-8-12 20:21

完成所有写入操作后，记得重新锁定Flash控制寄存器，以防止意外修改。

发表于 2025-8-12 21:53

在轮询写入过程中，最好暂时禁用中断，以避免中断干扰写入过程。写入完成后，重新启用中断。

发表于 2025-8-13 09:32

只适用于开机不断电的情况，断电后还是擦除才能写入。

发表于 2025-8-14 13:37

使用写入缓冲区可以减少对Flash的直接写入操作，提高写入效率。

发表于 2025-8-14 14:38

每次写入或擦除操作完成后，都需要检查状态寄存器中的忙碌标志位（BSY），直到其被清除为止。

发表于 2025-8-14 15:50

Flash编程前必须先解锁Flash控制寄存器，以允许写入操作。