[STM32L1] L1系列EEPROM模拟读写寿命该怎么评估?

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 楼主| Uriah 发表于 2025-6-9 07:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
STM32L151用Flash模拟EEPROM,用着挺稳的,就是不知道写多了会不会挂?
Clyde011 发表于 2025-6-9 07:22 | 显示全部楼层
实测下来寿命还挺抗造的。
公羊子丹 发表于 2025-6-9 07:22 | 显示全部楼层
ST手册里好像说1万次写入。
周半梅 发表于 2025-6-9 07:23 | 显示全部楼层
自己写个循环测测寿命吧。
帛灿灿 发表于 2025-6-9 07:24 | 显示全部楼层
我把频繁数据存到RAM里先。
童雨竹 发表于 2025-6-9 07:25 | 显示全部楼层
尽量把地址轮着写。
万图 发表于 2025-6-9 07:25 | 显示全部楼层
加擦写次数记录防止异常。
Wordsworth 发表于 2025-6-9 07:26 | 显示全部楼层
Flash页切换写法你研究了吗?
Bblythe 发表于 2025-6-9 07:27 | 显示全部楼层
写前先比对,不变就别写。
Pulitzer 发表于 2025-6-9 07:28 | 显示全部楼层
小数据写整页,效率高点。
 楼主| Uriah 发表于 2025-6-9 07:29 | 显示全部楼层
你可以定期备份数据页。
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