[PIC®/AVR®/dsPIC®产品] 面对先进制程下的芯片老化问题,Microchip采取了哪些设计优化措施?

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 楼主| 发表于 2025-7-13 21:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
是否通过老化仿真工具预测NBTI效应并优化版图设计?

发表于 2025-7-16 09:16 | 显示全部楼层
芯片老化有什么症状?单片机放久了就会坏吗
发表于 2025-7-17 14:24 | 显示全部楼层
通过老化仿真工具预测关键老化效应并优化版图设计。
发表于 2025-7-22 18:12 | 显示全部楼层
制程工艺优化
成熟制程选择:
Microchip 倾向于采用经过验证的 成熟制程节点(如40nm及以上),而非盲目追求最先进制程(如5nm/7nm)。成熟制程的工艺稳定性更高,老化效应更可控。

抗老化工艺技术:
在制程中引入 高K金属栅极(HKMG)、应变硅技术 等,减少栅极氧化层退化(BTI)和热载流子注入(HCI)的影响。
发表于 2025-7-22 18:12 | 显示全部楼层
电路设计层面的优化
老化感知设计(Aging-Aware Design):

通过仿真工具(如Synopsys PrimeTime)预测电路在老化后的性能衰减,优化关键路径时序余量(Timing Margin)。

采用 自适应偏置电路 或 动态电压调节(DVS),补偿晶体管阈值电压(Vth)漂移。

冗余设计:
在敏感模块(如存储器、时钟树)中增加冗余单元,通过片上自修复机制(如ECC、BIST)应对老化导致的故障。

低应力电路拓扑:
避免长期高电压/高电流工作状态,例如采用 电荷泵替代线性稳压器 以减少电迁移风险。
发表于 2025-7-22 18:12 | 显示全部楼层
封装与热管理
先进封装技术:
使用 铜柱凸块(Cu Pillar)、硅通孔(TSV) 等封装技术,降低互连电阻和热阻,减缓电迁移。

热可靠性设计:

集成温度传感器和动态热管理(DTM),防止局部过热加速老化。

优化功耗分布,避免热点(Hot Spot)形成。
发表于 2025-7-22 18:12 | 显示全部楼层
测试与可靠性验证
加速老化测试(HTOL/ELFR):
通过高温工作寿命测试(HTOL)和早期失效率测试(ELFR),模拟芯片在长期使用后的退化情况。

老化模型校准:
结合实测数据校准仿真模型(如FinFET老化模型),提高设计阶段的预测准确性。

寿命监控电路:
部分高端芯片内置 老化监测单元(如环形振荡器),实时评估器件退化状态。

发表于 2025-7-22 18:12 | 显示全部楼层
测试与可靠性验证
加速老化测试(HTOL/ELFR):
通过高温工作寿命测试(HTOL)和早期失效率测试(ELFR),模拟芯片在长期使用后的退化情况。

老化模型校准:
结合实测数据校准仿真模型(如FinFET老化模型),提高设计阶段的预测准确性。

寿命监控电路:
部分高端芯片内置 老化监测单元(如环形振荡器),实时评估器件退化状态。

发表于 2025-7-22 18:13 | 显示全部楼层
软件与系统级协同优化
自适应算法:
通过固件动态调整工作频率/电压(DVFS),降低老化敏感模块的负载。

安全芯片的特殊设计(如ECC608):
在安全芯片中采用 冗余逻辑 和 抗侧信道攻击设计,确保即使部分电路老化,安全功能仍不受影响。
发表于 2025-7-22 18:13 | 显示全部楼层
客户支持与长期供货承诺
长期寿命保障:
Microchip 对工业级和汽车级芯片提供 15年以上 的供货保证,确保老化问题不会影响供应链稳定性。

应用指南:
提供设计手册(如AN2606)指导客户优化电路板设计(如去耦电容布局),降低外部应力对芯片老化的影响。
发表于 2025-7-22 18:13 | 显示全部楼层
行业对比与优势
与消费级芯片的差异:
消费级芯片(如手机SoC)通常追求性能而牺牲寿命,而 Microchip 的工业/汽车级芯片更注重 长期可靠性。

对比FPGA厂商:
类似Xilinx/Altera的SRAM型FPGA易受老化影响,而 Microchip 的基于Flash的FPGA(如PolarFire)具有更低的老化率。
发表于 2025-7-22 18:13 | 显示全部楼层
Microchip 通过 制程保守性选择、电路设计冗余、热管理优化 和 全生命周期测试 等综合手段,显著降低了先进制程下的芯片老化风险。其策略尤其适合对可靠性要求严苛的 工业自动化、汽车电子 和 航空航天 等领域。

发表于 2025-7-27 18:52 | 显示全部楼层
用十年肯定是没问题的
发表于 2025-7-28 18:10 | 显示全部楼层
Microchip确实采用了老化仿真工具来预测NBTI效应,并据此优化版图设计。他们通过模拟不同条件下的老化过程,来预测和减少负偏温度不稳定性对芯片性能的影响。
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