[其它产品/技术] 英飞凌的CoolSiC这么厉害吗?

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 楼主| d1ng2x 发表于 2025-7-15 11:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
英飞凌新一代CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术将主要性能指标提高20%,具体是通过改进沟槽栅技术的哪些结构或工艺参数来实现这一提升的?

szt1993 发表于 2025-7-30 12:59 | 显示全部楼层
那必须性能指标非常完美
LOVEEVER 发表于 2025-7-31 10:53 | 显示全部楼层
改进沟槽栅技术是非常有必要的
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