SiC技术核心产品与解决方案

发表于 2025-7-21 15:27

CoolSiC™ MOSFET系列：覆盖400V至3300V电压范围，适用于光伏逆变器、储能、电动汽车充电、工业驱动等领域。第二代技术（G2）将能量和电荷储量提升20%，降低开关损耗。
SiC沟槽型超结（TSJ）技术：通过结合沟槽栅与超结设计，将RDS(on)*A降低40%，提升功率密度，适用于汽车牵引逆变器等高功率场景。
模块化产品：如CIPOS™ Maxi IPM，集成6通道1200V SOI栅极驱动器和CoolSiC™ MOSFET，实现高功率密度与可靠性。

发表于 2025-7-30 13:05

SiC技术第三代技术

发表于 2025-7-31 10:03

SiC技术核心产品与解决方案

[PSOC™] SiC技术核心产品与解决方案

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