PIC16F877A 写内部EEPROM时间太长

登录 · 发表于 2013-7-3 18:08

PIC16F877A 内部EEPROM写操作
就是不知道写一个字节，大概需要多长时间

发表于 2013-7-3 20:20

看DATASHEET，最后的电气章节部分，里面有描述

发表于 2013-7-3 20:22

D120 ED Endurance 100K 1M — E/W -40°C to +85°C
D121 VDRW VDD for read/write VMIN — 5.5 V Using EECON to read/write,
VMIN = min. operating voltage
D122 TDEW Erase/write cycle time — 4 8 ms

D122 TDEW Erase/write cycle time 最小没小— 典型：4 最大8 ms
写的时间就是4ms-8ms左右

发表于 2013-7-3 22:36

谢谢楼上朋友的指点。
擦除/写周期时间4至 8毫秒

发表于 2013-7-5 14:16

读EEPROM基本无延迟，写EEPROM需要一定的时间，不管是谁家的EEPROM，都有这个写入时间的要求，MCHP在同时代EEPROM技术中，算是写入时间要求短的。

一般要求的写入时间在4~8毫秒左右，但这个写入时间随着工作电压、温度、湿度等的影响，会略有变化，所以，对于一个强壮的代码来讲，尽量不要用固定的延迟时间来判别写入是否完成，而应根据芯片给出的写入完成标志来识别当前字节是否已经写入完成。

同时，对于一个实用的程序来说，固步呆守着等待写入完成标志则会造成MCU无法执行多线程任务，而实际产品应用很少有单线程程序，所以LZ的那一段代码只能作为示范代码，在实际产品应用时，应需略作调整。

发表于 2013-7-7 10:33

谢谢高人：yewuyi
请多多指教

发表于 2013-7-9 21:55

正好看到这个。

PIC16F877A 写内部EEPROM时间太长

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