关于MOS管的VGS问题

发表于 2007-1-31 10:24

我想问问一般N 沟道的MOS管的VGS一般为4-5V                         P沟道的MOS管的VGS一般为12-18V吗   还有呀，N和P应用在电路上的区别呀

发表于 2007-1-31 12:45

发表于 2007-1-31 12:46

发表于 2007-1-31 12:57

发表于 2007-1-31 17:00

发表于 2007-2-8 15:20

早期MOS以及大电流/高压MOS的开启电压较高，新一代的低压/小电流MOS管的VGS低一些。具体看厂家的datesheet上的VGS曲线。 IRF830是早期的高压mos，VGS自然比较高；IRF620就可以低一些。 在较大电流应用时，也需要加大的Vgs,主要原因是VMOS导通是从点到面的，若Vgs过小，就仅仅实现点导通，会烧毁VMOS的。 新一代的低压低阻VMOS一般在5~10V就可以获得很好的效果。 建议：在可能的情况下，尽可能提高实际Vgs,尽可能接近VMOS给出的Vgs最大值（决不能超过），这样才能获得最佳效果。

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那就是说VGS=-12V的 时候PMOS会很好的导通?

这不能笼统讨论

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