一个PMOS管的常用开关电路

发表于 2015-1-21 22:58

最近也遇到问题了，电路差不多，不知不觉，Pmos就被烧掉了，漏源极直接导通了

发表于 2015-1-21 22:59

还想请教下，像这种开关电路，要测瞬态电压变化，可以用什么软件仿真一下吗？实测总是烧管子！

发表于 2015-2-2 18:44

三极管基极限流电阻太大了换1k试试。三极管两端压降较大导致pmos 处在线性区，

发表于 2018-7-19 14:19

我也遇到这个问题了，不过没有烧管子而是很难关断，频率500HZ才能关断

发表于 2018-7-25 08:45

主要是上拉电阻太大，以及频率太快和场管结电容大，造成工作在线性区！改10K与5.1K试。当然负载不能是电感！

发表于 2018-7-25 10:49

为啥没结果

登录 · 发表于 2018-7-25 11:48

如果负载有电感。
1. 需要增加阻尼二极管DL。
2. 增加PMOS管耐压，Vds = 30V 太低
3. 减小电阻、增加加速电容C1，提高电路的开关速度。
如图：

发表于 2020-3-23 16:48

规格： s8050 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 0.6 V ( Ic=500 mA, IB= 50mA)

本例： Ic = 24V/( 100k+51K)= 0.159mA ，Ib=（24-0.6V)/51K=0.46mA，三极管没有工作在饱和状态，处于放大状态，外界干扰后， P_MOS 容易处在半开关状态，此时 Rds ON 比较大，所以烧管。
还有的可能时，负载电流超出 P_MOS 规格了

发表于 2020-3-23 16:49

规格： s8050 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 0.6 V ( Ic=500 mA, IB= 50mA)

本例： Ic = 24V/( 100k+51K)= 0.159mA ，Ib=（24-0.6V)/51K=0.46mA，三极管没有工作在饱和状态，处于放大状态，外界干扰后， P_MOS 容易处在半开关状态，此时 Rds ON 比较大，所以烧管。
还有的可能时，负载电流超出 P_MOS 规格了

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