本帖最后由 yutianku 于 2014-6-25 15:41 编辑
驱动器方案：高速光耦HCPL-2631+半桥驱动IR2184S+高性能Nmos IRLR7843
预期目标：
1、大功率、小体积、良好稳定性的直流电机驱动；
2、两路直流电机驱动，单路峰值达30A(12V)且导通电阻仅有0.003欧姆；
3、开关频率高，最可达60KHZ，PWM 0~95%;
4、宽电源电压（7~30v）及宽逻辑控制电压输入（3.3~24v）
5、控制接口非常简单：A1.A2=0.0时为刹车；A1.A2=1.0时为正转；A1.A2=0.1时为反转；PA为PWM波输入（电机速度调节）；G为与控制板共地引脚（B路为同样控制）；
电路原理图：
由于是初次设计，麻烦各位看看此方案是否可行，能否达到预期目标？原理图中电源部分、逻辑控制及H桥驱动中是否有不当之处？另外还有些疑惑不解：
1、PWM最高频率是否与IR2184的bootstrap电容选择有关，还是要考虑死区时间等；
2、PWM不能100%输出的原因；
3、电路中哪些元器件选型需要注意；
4、大电流PCB制板需要注意什么
5、实际控制过程中换向过程需要考虑死区时间，加延时？
备注：
由于本人第一次接触大功率直流电机驱动，没有MOS相关使用经验，因此在参考学习网友们的直流电机驱动相关方案后提出以下方案与大家一起讨论，希望各位前辈不吝赐教，失误之处还望指出，感谢！
主要参考了 网友"wudi"的IR2104 + IRF540 MOS电机驱动全桥 学习与实践过程 的方案，在此表示感谢！
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