21ic电子技术开发论坛 › 单片机与嵌入式系统 › 德州仪器MCU › 430内部的Information memory可以擦写多少次？ ...
返回列表 发新帖我要提问

430内部的Information memory可以擦写多少次？

[复制链接]
 楼主| 西小屯 发表于 2014-6-30 10:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
information, memory, BCD, fab, CD
大家好，我现在用430F4152中的Information memory空间保存一些数据，不知道这个空间的infA b c d四个区域的擦写次数是多少次，有没有10W，我要确定刷新时间，谢谢了
回复 赏

举报

相关帖子
ar_m_cu 发表于 2014-6-30 10:26 | 显示全部楼层
和主存储FLASH应该一样
回复 赏

举报

hxfxt 发表于 2014-6-30 10:29 | 显示全部楼层
理论上FLASH的擦写次数是1W次吧！

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册

×
回复 赏

举报

smilingangel 发表于 2014-6-30 21:28 | 显示全部楼层
这个擦写的次数还是蛮多的，，楼上的表格比较详细的。
回复 赏

举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

西小屯

5

主题

14

帖子

1

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部
西小屯

5

主题

14

帖子

1

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部