S3C2440 nand flash 启动出问题

发表于 2014-7-22 14:57

自己写的S3C2440程序，运行域和加载域都定义到SRAM中。关闭看门狗，初始化时钟和SDRAM，测试SDRAM通过，LED指示灯正常闪烁，这个程序就记做A程序吧。

然后再写了个另外一个程序，运行域和加载域都定义到SDRAM首地址，初始化串口和nand flash，编写了nand flash最最基本的擦除，编程和读取，也都测试通过了。然后是通过接收串口的数据，写到nand flash的最前面4KB的地方。然后还要从nand flash中读出发回给PC串口，在PC端上做了数据对比，没有问题。其实就是想把A程序生成的bin文件通过PC端的串口发来后烧写到nand flash的前4KB中。这个程序记做B。

A和B程序都通过MDK5.1 + Jlink v8，运行没有问题，但是B把A烧写到nand flash中，断电后重启就是没看到LED闪烁。

我也看了跳线帽的配置，确实是选的nand flash的启动方式，但最后就是没见到A程序起来，到底怎么回事？

发表于 2014-7-22 15:01

发表于 2014-7-23 11:05

把A程序的初始化SDRAM操作删除下看看

发表于 2014-7-23 18:23

jplzl 发表于 2014-7-23 11:05
把A程序的初始化SDRAM操作删除下看看

问题解决了，不是SDRAM初始化的问题，最后找到的问题是我烧写到nand flash的数据，没注意大小端，换成另一种大小端方式，就行了。
现在每次给板子上电，从nand flash启动，就能跑我写的那个程序，LED闪烁没问题，SDRAM初始化也都好着。

bootloader第一步完成，现在我已经有自己写的烧写nand flash的源代码了。

发表于 2014-7-24 13:32

其实我是想说，如果程序已经被下载到SDRAMj里面，再对SDRAM进行初始化时，不会把SDRAM里面的程序给清除掉么、。。。
ARM程序不一直都是小端格式的么。。

发表于 2014-7-27 00:11

jplzl 发表于 2014-7-24 13:32
其实我是想说，如果程序已经被下载到SDRAMj里面，再对SDRAM进行初始化时，不会把SDRAM里面的程序给清除掉么 ...

我知道你的意思了，A程序初始化了SDRAM，是想让B程序能放到SDRAM中用，因为SRAM太小太小了，但SDRAM那么大，所以我想充分利用SDRAM。

但如你所说，在仿真器加载B程序的时候，会不会影响到SDRAM，就看MDK的debug设置页>JLINK的设置项>
Reset Strategy里面，我设置的是software,PC=0，CPSR=0xD3，all SPSR=0x10
B工程设置好这一项后，就不会再仿真下载程序的时候硬复位CPU，那A工程初始化SDRAM和clock这些寄存器都是没有变化的，SDRAM中有没有变化，我不担心，因为B工程需要用到的位置，会重新覆盖正确的值，不会用的地方变不变也无所谓。其实我也不知道加载B程序的时候，SDRAM中是不是真的有数据会改变，我个人觉得应该不会的。

发表于 2014-7-27 00:15

jplzl 发表于 2014-7-24 13:32
其实我是想说，如果程序已经被下载到SDRAMj里面，再对SDRAM进行初始化时，不会把SDRAM里面的程序给清除掉么 ...

其实B工程带个初始化脚本，就可以初始化时钟和SDRAM，只是我个人就是想试试用自己的代码来完成这个功能。
我把脚本中初始化寄存器的都注释掉了，不过我最后还是需要用脚本中的一个功能，就是设置PC到对应的位置。不然，代码即使是对的，放到正确的位置，PC不在正确的位置，程序还是没**常跑。

发表于 2014-7-28 09:37

lr2131 发表于 2014-7-27 00:11
我知道你的意思了，A程序初始化了SDRAM，是想让B程序能放到SDRAM中用，因为SRAM太小太小了，但SDRAM那么 ...

多谢指点了MDK中debug里的一个设置说明

但这个debug中的设置，只是在加JLINK仿真运行B程序的时候可能有作用，
但实际B程序由A程序从FLASH中调入SDRAM中自由运行时，这里的debug设置应该是不起作用的吧。

发表于 2014-7-28 16:50

你这个办法不是很好，你应该把B程序固化到前4K NandFlash中，B程序运行时首先发送数据联系PC，短暂延时后（ms级，和波特率有关）如果没有回应，则从NandFlash中读入A程序后运行，如果有回应则通过SIO口读取*.Bin并固化到NandFlash中，这个办法对于后续的固化比较方便，你也可以把A程序的长度（页数）、定位信息页固化到NandFlash的一个页中，后面读取A程序时就很方便，

此办法无需每次固化B程序。

发表于 2014-7-28 21:51

arm2009wzm 发表于 2014-7-28 16:50
你这个办法不是很好，你应该把B程序固化到前4K NandFlash中，B程序运行时首先发送数据联系PC，短暂延时后（ ...

嗯，我明白你说的。但并不是我不愿意把B固化到nand的前4K，而是4KB实在太小了，我定位给B代码的功能再精简点都可能不够，我现在的能力还不能都写出那么精简的B程序放到前4KB。我以后会把B固化到nand中，但不是前4KB，4KB固化A程序，由A程序来加载和引导B程序。B程序完成bootloader的功能。

发表于 2014-7-28 21:57

jplzl 发表于 2014-7-28 09:37
多谢指点了MDK中debug里的一个设置说明

但这个debug中的设置，只是在加JLINK仿真运行B程序的时候可能有 ...

这个设置，其实最终是jlink支持出来的，你可以看看jlink在烧写程序时，有个设置项也很像MDK中那个复位的选择设置。

目前我的A程序都只是为了给B一个加载前的环境。是你说的，在仿真运行B时起作用。
但以后我固化了A程序到flash，也会再修改B程序，也固化到nand中，但不在前4KB，由A引导和加载B程序。
这个时候的效果和仿真几乎是一样的。如你所说，这个时候，debug的设置当然也是不起作用的，因为这个工程已经没有仿真器参与了。这也就是我以后自己写的bootloader的原型。

发表于 2014-7-29 09:45

你由A程序来加载和引导B程序，那A程序就是Bootloader，而B程序是应用程序。只是你把 SIO 通讯和 NandFlash 放入了应用程序即B程序，这当然也可以。
而要把通讯和Flash操作放入Bootloader即A程序，最好用汇编编写所有操作，代码长度在2k~3k之间，A程序的主要工作就是初始化SDRAM、判断串口通讯固化应用程序、引导已经固化的应用程序。别的操作包括Led灯等等都由应用程序完成。

发表于 2014-7-30 11:31

arm2009wzm 发表于 2014-7-29 09:45
你由A程序来加载和引导B程序，那A程序就是Bootloader，而B程序是应用程序。只是你把 SIO 通讯和 NandFlash ...

从支持的烧写方式上来说，如果只是通过串口更新或烧写程序到nand中，4KB也差不多可以了，其他的功能也加进来，4KB也差不多可以。但是我还想支持其他的烧写方式，网络的，USB的，SD卡的那些，4KB就不够了，所以我想把这些高级的方式，还有其他的功能都放到B中。A就只是更新烧写B，引导B。

发表于 2014-7-30 11:33

arm2009wzm 发表于 2014-7-29 09:45
你由A程序来加载和引导B程序，那A程序就是Bootloader，而B程序是应用程序。只是你把 SIO 通讯和 NandFlash ...

另外，还要支持nor的，nand的ECC我也没加进来。SD卡上来了后，还需要支持文件系统。网络那块还不知道具体怎么弄，还有MMU，东西真的不少，4KB是在是不够啊。

发表于 2014-7-31 14:52

在 Boot1 和应用程序之间加一个 Boot2，Boot1 如上面所说用汇编编写，保证在4096字节之内，Boot2 可以使用C 应用编写，没有长度限制。

Boot1 负责 Boot2 的引导加载执行，Boot2 负责应用程序的引导加载执行，同时可以把你所要求的这些功能放入Boot2，这样每次固化程序时，Boot1 和 Boot2 都无需重新更新，只要重新烧写应用程序即可。
而且Boot1 和 Boot2 独立于应用程序之外，他们的一些功能，比如读写SD卡、USB通讯、串口通讯和你自己的应用程序中的这行模块使用不会有任何的冲突。

当然，使用Boot2 也有一个限制，就是必须在仪器启动的时候判断个模块状态，然后进行应用程序的烧写，当引导加载了应用程序后，这些功能就不存在了。

发表于 2014-8-1 15:07

本帖最后由 DST-IC代理于 2014-8-1 15:14 编辑

优势代理
美国ALLIANCE SRAM／SDRAM／DDR(不改版，不停产，货期短）
韩国ATO NAND/MCP/SPI FLASH (与HYNIX同封装厂，兼容SAMSUNG等）
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欢迎免费索取样品及原厂FAE技术支持！

发表于 2014-8-1 19:10

你说对了，我就是这么做的，A就相当于boot1，B就相当于boot2

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