关于外部RAM的访问地址问题，请教各位！

发表于 2007-1-5 14:21

1. 我看了LPC2210和LPC2214的使用手册，在LPC2210的手册上，以32位宽访问32位的存储器，其地址总线为A[31:2];在LPC2214的手册上,以32位宽访问32位的存储器，其地址总线为A[31:0]. 请问是哪个数据手册编辑错误还是这两个器件有什么不一致. 2. 如果以16位数据宽度和外部RAM相连, 其对外部RAM寻址的最低位地址是否应该是为0?那么如果比如外部RAM在BANK1,基地址为0x81000000, 则地址0x81000001是访问什么? 怎么处理?

发表于 2007-1-5 15:00

应该是CPU的A[2:31]与片外存储器的A[0:31]连接. 如果是16位总线的话是CPU的A[1:15]与片外存储器的A[0:15]连接. 这个是根据指令来设定的,指令是按照字节来访问的,16位的话是两个字节一起访问.所以不用接A0.以此类推. BANK0和BANK1的访问是由CS0和CS1来控制的.

发表于 2007-1-5 15:04

外部存储器地址使用哪些地址线往往还与具体的外部存储器相关． 　 如果外部RAM为16位,一般最低位地址为0，以楼上的例子,如果有用读半字指令，读取0x81000000时，那么读取的是0x81000000和0x81000001两个字节．如果是用读取字节指令,那么只可以单独读取0x81000000和0x81000001了．LPC2200使用BLS0和BSL1引脚来告诉存储器，读取的是高字节还是低字节．

发表于 2007-1-5 15:27

我以为外部存储器的接法是由总线宽度决定的. 至于对0X81000000的访问可以直接把CS1拉低,再可根据BLS0和BLS1来控制字节访问 我这样理解对吗?

发表于 2007-1-5 15:46

谢谢楼上的回答. 当用16位数据总线访问外部RAM时, 其访问地址是不是严格按半字对齐的. 那么, 如果我这样定义 (*((volatile unsigned short*)ETHER_BASE_ADDR+offset)) offset为偏移地址, 取值为0-1f, 好像是可以访问以基地址ETHER_BASE_ADDR后的任意地址的内容. 这怎么来解释?  硬件采用的是EasyARM2200, ARM与RT8019的连接, RTL8019的是8位数据总线宽度, ARM是16位数据总线宽度.

发表于 2007-1-6 22:51

其实不管是接成16位，还是8位的，软件上都是可以直接访问一个字节和2个字节的，例如定义一个指针，指针指向2个字节的数据，那么就可以直接读出2个字节，如果指针是指向单自己，那就读出一个字节。  当然对于硬件上，如果接成8位的数据总线，那地址0是要接上的，这样如果读2个字节，那硬件自动完成读两次。如果接成16位数据总线方式，那地址0是不要接的，如果读两个2字节的话，硬件自动只读一次就可以了，如果这种情况下要读1个字节的，程序编译后，硬件虽然也读两2个字节，但是只取其中一个有用的。 其实这个工程是硬件出来的，更本不要关心。想读一个字节，2个字节，4个字节都是程序操作就可以了。

[ZLG-ARM] 关于外部RAM的访问地址问题，请教各位！

相关帖子

我也刚搞明白的

re:

周工写的我不明白了,是我的理解有错吗?

谢谢zlgarm的回答, 我用的就是EasyRam2200.

呵呵

浏览过的版块

经常做客

技术新星奖章

浏览过的版块

经常做客

技术新星奖章