个人觉得，gm表征是MOS器件把电压变化转变成相应的电流变化的能力，在饱和区，漏极电流Id近似只与栅源电压VGS有关，如公式（2.13），故跨导gm=μnCox(W/L)(Vin-Vth)；而在线性区，电流Id与栅源电压VGS和漏源电压都有关，根据公式（2.8）可得，gm=μnCox(W/L)VDS,如公式（2.21）所示，也就是说在线性区，跨导只与漏源电压VDS有关，而与栅源电压VGS无关。在上述的例子中，栅源电压增大，使漏电流增大，漏源电压却减小了，所以跨导是减小的。列子2.2 正说明了这一点。
不知道我这样说合适不合适，LZ是怎么理解的？
我觉得LZ的误区是：认为栅源电压增大了，漏电流增大，那么理所当然，跨导也应该是增大了！
应该注意到跨导是漏电流对栅源电压的导函数，说白了gm=△Id/△VGS
可以看一下图3.4（a),（如果你认为该曲线是正确的的话）图中曲线的斜率就是gm，我们可以近似得到gm的变化趋势
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