SD卡向普通E2一样读写

最近看了看SD卡的读写，希望能向E2一样随意读写，但是SD规范里写到，只能块读、块写，而且对起始地址和结束地址都有要求。请教各位大虾，sd卡读写起始地址能不能不是512的整数倍，还有怎样设置CSD寄存器内容，谢谢！

靠驱动实现。
在RAM里开辟一个扇区的缓冲区……

呵呵，LS正解，你应该这样做：
块读、然后改写缓存，最后块写回去:)

哦，我用的是NEC单片机读SD 卡，现在块读可以设定长度，但是起始地址必须是512整数倍，块写时长度只有512通过，起始地址也必须是512整数倍，不能是任意地址， 不知怎样设定？

SD卡是块设备，物理层的读写只能通过块，如果要进行流式读写，需要增加中间层，使用逻辑接口进行流读写。

比如中间层有一个缓冲区，上层输入一个地址的时候，中间层把地址转换成块地址和块地址内偏移地址，然后通过物理接口把该块读到缓冲区，然后在把缓冲区中对应你给的地址的偏移地址内容返回给上层，通过缓冲区模拟流式读写，，这样在上层看来就和流读写一样了，文件系统在块设备上就是干这项工作的，但你不需要实现文件系统那么复杂，只需要实现块到流的转换和缓冲机制。

类似的东西比如Nand Flash也是块设备，硬盘也是块设备，Nor Flash写入的时候也是块设备（读的时候是流设备）

PS:流设备的读取单位为字节时也叫做字符设备。

首先感谢各位大虾指教。我在SD规范协议里看到CSD寄存器里有四个位是可以控制块写的长度，即起始地址和结束地址可以为任意字节值，不知有没有哪位大虾改过其值，实现过此操作，望指教，谢谢