晶体管的击穿问题

最近了解到晶体管可以被破坏性的击穿——雪崩击穿与二次击穿，可是不知道这两种击穿有什么区别，各位路过的侠客都说说看哈。

坐观…

雪崩击穿指低掺杂宽耗尽层的PN结反向击穿，相对应的有高掺杂窄耗尽层的PN结反向击穿——齐纳击穿。雪崩击穿通常会损坏PN结，而受控的齐纳击穿则不会（齐纳稳压管就是利用此工作）。

三极管的CE击穿分一次和二次。一次指刚击穿时电流增加而Vce还未明显降低，此时若退出击穿态三极管还有救。如果进一步击穿（Vce降低）则进入到二次击穿，则此时三极管基本玩完了（结熔化了）。

雪崩击穿是当反向电压增加到较大值时，耗尽层的电场使少电子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对，新产生的电子与空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地倍增，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿

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那么二次击穿呢， 是不是也有类似雪崩击穿这样的一个过程？