STM8--通过SWIM协议--可以对寄存器(0x7F80)写入，但是内存空间写不进

最近小弟在研究stm8的SWIM协议，现在可以通过SWIM协议对stm8内存空间的读操作，但是对内存空间的写操作还是不行；
问题最纠结的是：发现可以对寄存器SWIM_CSR(0x7F80)可以写入读出，写入读出数据都比对ok！
但是对内存地址0x9000或0x4000(E2起始地址)，发现写入无效，所以小弟在这里请教一下高手们，
SWIM协议中对写寄存器和对内存地址写有区别吗？还是我理解有误！！
我捕捉过写过程中的时序，从机ACK也正确回复1了，但是对内存地址就是写不进去，真伤！

走得太快了。
应该先写、读RAM，看是否行。
然后才能写、读FLASH/E2

IJK 发表于 2013-4-14 17:39
走得太快了。
应该先写、读RAM，看是否行。
然后才能写、读FLASH/E2

好，非常感谢！我好像在swim参考手册没发现这样的说明！
明天早上试一下先对RAM的写读，
我走完reset低电平需要处理的流程之后，就去读flash和E2发现是ok的！
按理说，写和读是同一等级别的，可以读就可以写的，难不成被写保护了，需要
特殊处理一下才能可以写》？这是我现在的疑问！

应该问题不大吧   呵呵   这个很简单吧   应该不熟悉寄存器的设置而已   呵呵

今天早上试过了，对RAM是可以正常读和写的，对flash和E2还是不行。
4L说的对寄存器不熟悉，我想也是！我在仔细看看...
哪位大神可以指导一二！感激不敬..

对flash和E2不行，是正常的。对flash和E2写，其实是进行编程操作，需要走编程流程的----要操作几个flash相关的寄存器，可以看相应的flash编程手册。

IJK 发表于 2013-4-15 09:54
对flash和E2不行，是正常的。对flash和E2写，其实是进行编程操作，需要走编程流程的----要操作几个flash相 ...

是的，的确如此。
我早上想到了，已经测试程序成功了！

没仔细看手册，flash编程手册上有讲到写入步骤。

很不错！用在脱机编程器吗？