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[应用相关] STM32教程系列之FLASH

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 楼主| 小狗爱吃骨头 发表于 2015-9-29 22:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
STM32, flash, 寄存器, status, 串口
一、实现的功能
1．实现对STM32Fxxx的片内FLASH的擦除和烧写，并读出后进行检验。
2．用串口打印出检验FLASH内容是否正确的变量值。
二、实验操作及现象
1．双击FLASH.eww打开工程文件，然后进行编译。
2．用Flash Loader将程序下载到ARM内，或者利用JLINK等仿真器进行仿真。
3．在程序运行前，用串口线将开发板的串口1和PC机的串口1连接，并打开“串
口调试助手”，设置波特率为115200，将会看到每0.5秒显示一次“Flash Status=1”，
则说明FLASH操作成功，否则说明FLASH操作失败。
三、片内FLASH学习
大家可能会疑惑，既然我们可以利用工具将代码下载芯片内部，为什么还要讲解Flash编程呢？目的是让大家掌握后可以编写自己的BootLoader，例如用CAN总线接口来更新产品中的升级代码，不需要将产品拆卸即可完成。另外一个很重要的问题就是我们要保护好自己编写的代码，否则被破_解后，就成别人的产品了。
1．解除Flash锁   
复位后，闪存擦写控制器模块是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器，
通过写入两个关键字(KEY1，KEY2)到FLASH_KEYR寄存器打开闪存擦写控
制器，才可以进行其他闪存操作。其中KEY1为0x45670123，KEY2为0xCDEF89AB。
编程如下：
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
  FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
2．页擦除
在FLASH操作中，每次擦除只能擦除一页，不能一个字节一个字节的擦除，其实所谓的擦出就是将指定的页全部填写成0XFF，下面是页擦除的过程：
   -检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作；
   -用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页；
   -设置FLASH_CR寄存器的PER位为1；
   -设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1；
   -等待BSY位变为0；
   -读出被擦除的页并做验证。
编程如下：
//等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
复制
  1. status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
    

  2.   
    

  3.   if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行页擦除操作
    

  4.   { 
    

  5.     
    

  6.     FLASH->CR|= CR_PER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的PER位为1
    

  7.     FLASH->AR = Page_Address;//用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页
    

  8.     FLASH->CR|= CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1
    

  9.     
    

  10.     //等待擦除操作完毕(等待BSY位变为0)
    

  11.     status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
    


  12. 

  13.     if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY为0
    

  14.     {
    

  15.       //如果擦除操作完成，禁止CR的PER位
    

  16.       FLASH->CR &= CR_PER_Reset;
    

  17.     }
    

  18.   }


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 楼主| 小狗爱吃骨头 发表于 2015-9-29 22:37 | 显示全部楼层
全部擦除
全部擦除就是将全部FLASH都填写成0xFF，其过程如下：
   -检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作；
   -设置FLASH_CR寄存器的MER位为1；
   -设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1；
   -等待BSY位变为0；
   -读出所有页并做验证。
编程如下：
//等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
复制
  1. status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
    

  2.   
    

  3.   if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH出于可以操作状态，开始进行全部页擦除操作
    

  4.   {
    

  5.      FLASH->CR |= CR_MER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的MER位为1
    

  6.      FLASH->CR |= CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1
    

  7.     
    

  8.     //等待全部页擦除操作完毕(等待BSY位变为0)
    

  9.     status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
    


  10. 

  11.     if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY为0
    

  12.     {
    

  13.       //如果擦除操作完成，禁止CR的PER位
    

  14.       FLASH->CR &= CR_MER_Reset;
    

  15.     }
    

  16.   }   
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 楼主| 小狗爱吃骨头 发表于 2015-9-29 22:37 | 显示全部楼层
4. 编程
   编程就是将数据写入指定的FLASH地址，STM32的FLASH每次编程都是16位（在32位系统中，我们叫做半字），过程如下：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作；
   -设置FLASH_CR寄存器的PG位为1；
   -写入要编程的半字到指定的地址；
   -等待BSY位变为0；
   -读出写入的地址并验证数据。
编程如下：
复制
  1. //检查参数是否正确
    

  2.   assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));
    


  3. 

  4.   //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
    

  5.   status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    

  6.   
    

  7.   if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行编程操作
    

  8.   {
    

  9.     
    

  10.     FLASH->CR |= CR_PG_Set;//设置FLASH_CR寄存器的PG位为1
    

  11.   
    

  12.     *(vu16*)Address = Data;//写入要编程的半字到指定的地址
    

  13.     //等待半字编程操作完毕(等待BSY位变为0)
    

  14.     status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    


  15. 

  16.     if(status != FLASH_BUSY)
    

  17.     {
    

  18.       //如果半字编程完毕，禁止PG位
    

  19.       FLASH->CR &= CR_PG_Reset;
    

  20.     }
    

  21.   }
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 楼主| 小狗爱吃骨头 发表于 2015-9-29 22:38 | 显示全部楼层
5. 信息块擦除
   信息块的擦除主要是指对选择字节的擦除，选择字节组织如下：
RDP：读出保护选择字节
读出保护功能帮助用户保护存在闪存中的软件。该功能由设置信息块中的一个选择字节启用。写入正确的数值(RDPRT键=0x00A5)到这个选择字节后，闪存被开放允许读出访问。
USER：用户选择字节
这个字节用于配置下列功能：
− 选择看门狗事件：硬件或软件
− 进入停机(STOP)模式时的复位事件
− 进入待机模式时的复位事件
Data：用户数据，可由用户自己分配
WRPx：闪存写保护选择字节
用户选择字节WRPx中的每个位用于保护主存储器中4页的内容，每页为1K字节。总共有4个用户选择字节用于保护所有128K主闪存。
其擦除的过程如下：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作；
   -解除FLASH_CR寄存器的OPTWRE位；
   -设置FLASH_CR寄存器的OPTER位为1；
   -设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1；
   -等待BSY位变为0；
   -读出小信息块并做验证。
编程过程如下：
复制
  1. //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
    

  2.   status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
    


  3. 

  4.   if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进选择字节擦除操作
    

  5.   {
    

  6.     //解锁 CR寄存器中的OPTWRE位 
    

  7.     FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;//输入选择字节键1
    

  8.     FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;//输入选择字节键2
    

  9.     
    

  10.     FLASH->CR |= CR_OPTER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的OPTER位为1
    

  11.     FLASH->CR |= CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1
    


  12. 

  13.     //等待选择字节擦除操作完毕(等待BSY位变为0)
    

  14.     status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
    

  15.     
    

  16.     if(status == FLASH_COMPLETE)//如果选择字节擦除操作完毕
    

  17.     {
    

  18.       //如果擦除操作完毕，禁止OPTER位
    

  19.       FLASH->CR &= CR_OPTER_Reset;
    

  20.        
    

  21.       //使能选择字节编程操作
    

  22.       FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set;
    


  23. 

  24.       //使能读出访问
    

  25.       OB->RDP= RDP_Key; //选择字节擦除同时需要开放代码读出
    


  26. 

  27.       //等待前次操作完毕
    

  28.       status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    

  29.  
    

  30.       if(status != FLASH_BUSY)//如果前次操作结束
    

  31.       {
    

  32.         //如果编程操作完毕，禁止OPTPG位
    

  33.         FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
    

  34.       }
    

  35.     }
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 楼主| 小狗爱吃骨头 发表于 2015-9-29 22:38 | 显示全部楼层
6. 选择字节编程
   选择字节的编程就是向上面讲到的选择字节里面写入指定的数据，其过程如下：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作；
   -解除FLASH_CR寄存器的OPTWRE位；
   -设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1；
   -写入要编程的半字到指定的地址；
   -等待BSY位变为0；
   -读出写入的地址并验证数据。
编程过程如下：
复制
  1. //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
    

  2.   status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    


  3. 

  4.   if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行编程操作
    

  5.   {
    

  6.     //解锁 CR寄存器中的OPTWRE位
    

  7.     FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
    

  8.     FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;
    

  9.    
    

  10.     FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set;//设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1
    

  11.     *(vu16*)Address = Data;//写入要编程的半字到指定的地址
    

  12.     
    

  13.     //等待半字编程操作完毕(等待BSY位变为0)
    

  14.     status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    


  15. 

  16.     if(status != FLASH_BUSY)
    

  17.     {
    

  18.       //如果半字编程完毕，禁止OPTPG位
    

  19.       FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
    

  20.     }
    

  21.   }
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 楼主| 小狗爱吃骨头 发表于 2015-9-29 22:39 | 显示全部楼层
7．STM32的代码保护
通过选择字节的设置，可以实现代码的读保护和写保护，在上面6中讲到的，RDP和WRP分别是读保护和写保护，将RDP设置指定的数值，可以实现代码的读 保护，也就是不允许任何设备读取FLASH里面的应用代码，将WRP里设置指定的数值，可以实现代码的写保护，不允许任何设备改写FLASH里面的应用代 码。其中设置读保护的代码如下：
复制
  1. //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
    

  2.   status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
    


  3. 

  4.   if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行指定操作
    

  5.   {
    

  6.     //解锁 CR寄存器中的OPTWRE位
    

  7.     FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
    

  8.     FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;
    

  9.     //擦除整个选择字节区域
    

  10.     FLASH->CR |= CR_OPTER_Set;
    

  11.     FLASH->CR |= CR_STRT_Set;
    


  12. 

  13.     //等待擦除操作完毕
    

  14.     status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
    


  15. 

  16.     if(status == FLASH_COMPLETE)//如果擦除操作完毕
    

  17.     {
    

  18.       //禁止OPTER位
    

  19.       FLASH->CR &= CR_OPTER_Reset;
    


  20. 

  21.       //使能选择字节编程操作
    

  22.       FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set; 
    


  23. 

  24.       if(NewState != DISABLE)//禁止读出操作
    

  25.       {
    

  26.         OB->RDP = 0x00;
    

  27.       }
    

  28.       else//使能读出操作
    

  29.       {
    

  30.         OB->RDP = RDP_Key;  
    

  31.       }
    


  32. 

  33.       //等待写入完毕
    

  34.       status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout); 
    

  35.     
    

  36.       if(status != FLASH_BUSY)
    

  37.       {
    

  38.         //写入操作完毕，禁止OPTPG位
    

  39.         FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
    

  40.       }
    

  41. }
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 楼主| 小狗爱吃骨头 发表于 2015-9-29 22:39 | 显示全部楼层
写保护代码如下：
复制
  1. //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
    

  2.   status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    

  3.   
    

  4.   if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行编程操作
    

  5.   {
    

  6.     //解锁 CR寄存器中的OPTWRE位
    

  7.     FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
    

  8.     FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;
    

  9.     //设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1
    

  10.     FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set;
    


  11. 

  12.     if(WRP0_Data != 0xFF)//如果不是全部不写保护
    

  13.     {
    

  14.       OB->WRP0 = WRP0_Data;//写入WRP0
    

  15.       
    

  16.       //等待写入操作完毕
    

  17.       status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    

  18.     }
    

  19.     if((status == FLASH_COMPLETE) && (WRP1_Data != 0xFF))
    

  20.     {
    

  21.       OB->WRP1 = WRP1_Data;
    

  22.       
    

  23.       //等待写入操作完毕
    

  24.       status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    

  25.     }
    


  26. 

  27.     if((status == FLASH_COMPLETE) && (WRP2_Data != 0xFF))
    

  28.     {
    

  29.       OB->WRP2 = WRP2_Data;
    

  30.       
    

  31.       //等待写入操作完毕
    

  32.       status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    

  33.     }
    

  34.     
    

  35.     if((status == FLASH_COMPLETE)&& (WRP3_Data != 0xFF))
    

  36.     {
    

  37.       OB->WRP3 = WRP3_Data;
    

  38.      
    

  39.       //等待写入操作完毕
    

  40.       status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    

  41.     }
    

  42.           
    

  43.     if(status != FLASH_BUSY)
    

  44.     {
    

  45.       //如果编程操作完毕，禁止OPTPG位
    

  46.       FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
    

  47.     }
    

  48.   }   
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 楼主| 小狗爱吃骨头 发表于 2015-9-29 22:39 | 显示全部楼层
8．STM32有3种启动模式：
第1种：上电前BOOT0脚为0，BOOT1脚是0或者1，上电后直接进入FLASH执行应用程序。
第2种：上电前BOOT0脚为1，BOOT1脚为0，上电后进入芯片的自举程序（LOADER代码，厂家写好固化到芯片里的专门用于串口下载代码的程序），一般我们烧写程序的时候进入此模式。
第3种：上电前BOOT0脚为1，BOOT1脚为1，上电后进入芯片的SRAM，一般我们很少使用这个模式

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paderboy 发表于 2015-9-29 23:46 | 显示全部楼层
多谢分享，学习了。。。
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yiyigirl2014 发表于 2015-9-30 07:56 来自手机 | 显示全部楼层
Data：用户数据，可由用户自己分配 WRPx：闪存写保护选择字节
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豆腐块 发表于 2015-9-30 20:53 | 显示全部楼层
提醒下，Flash擦写的时候必须保持N个周期，否则将导致复位。通常会关闭总中断，在完成后再开启。
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