单向可控硅发热问题

大神，
  今天拿板子做实验，用可控硅控制气泵打气，工作电流很小，只有50毫安的样子，但发现可控硅发热严重，工作一会就冒烟了。
可控硅采用BT151，具体见图中附件，有高手知道是什么环节出了问题不。
感谢啊！

这个光耦在这个电路能够正常工作么？

king5555 发表于 2017-4-11 18:27
R10弄大或不接，但R10弄大了不如不接。要R-C吸收回路要改到桥整的两个AC端。 ...

多谢，
  后来试了下，把RC吸波电路去掉了。还是不行

戈卫东 发表于 2017-4-11 18:52
这个光耦在这个电路能够正常工作么？

多谢！
  PC817目前没有管它。目前情况是开启了无法关闭。

可控硅电流下降到维持电流后面的电量就要靠RC吸收，你的电路是整流，RC电路吸收效果减退，可控硅要自己吸收

戈卫东 发表于 2017-4-11 19:18
可控硅电流下降到维持电流后面的电量就要靠RC吸收，你的电路是整流，RC电路吸收效果减退，可控硅要自己吸收 ...

多谢，我将两边的光耦部分全部去掉，只剩下R11连接G和A，这时上电直接是导通的，理论上 貌似不会。。。。。

电源不要用全波整流用半波整流。

不到50mA，BT151这么大裕量还烧。应该是触发上的问题，楼主是每半个周波都触发吧，右侧还检过零信号；可是，都用了Zero-cross型光耦MOC3063了，为何又要检过零呢？
这个设计就别扭，混搭风格？
用了3063，又是交流负载，那就优选双向可控硅；50mA，BT131-600也可以呀，也不用硅桥整流，我用在调光负载上，满载接近300mA。再不济BTA06/12/16也行。

这个电路开启了就无法控制了，只有断电来关闭了

R4换100欧姆，R11换30K~100K，并连一个0.01电容

这部分可控硅控制电路应该没有问题，应该是输入的PUMP-CON-IO控制信号和IC817的相位输出电路，即外围单片机电路的电路有问题。

可控硅发热，应该是导通角太少引起的。

magic_yuan 发表于 2017-4-11 19:08
多谢！
  PC817目前没有管它。目前情况是开启了无法关闭。

门极烧了

这个图 看起来郁闷 可控硅到通后,直接连接到V+与V-形成回路,能不发热烧坏不

yzqok 发表于 2017-4-12 11:36
这个图 看起来郁闷 可控硅到通后,直接连接到V+与V-形成回路,能不发热烧坏不 ...

是不是电源输入那里接了负载？电路图一般不会错的。

感谢各路大神，原因找到了。把封装画错了，可控硅的输入和输出搞反了。。。。。。真是。。。。。

相当于一上电就击穿，把门极破坏了。