STM32F103 FLASH_ProgramWord()遇到写保护FLASH_ERROR_WRP

我想在Flash同一个位置写两次。
比如在0x8010000，第一次写0xFFFFFFFF，第二次写0x7FFFFFFF，第三次写0x4FFFFFFF。
根据Flash原理，bit 1可以单独放电编程0，bit 0不能单独充电变成1。理论上上述操作是可行的。
可实际在第2次写就遇到FLASH_ERROR_WRP的问题。
难道STM32的Flash在Programming之前必须先Erase吗？不可以对同一个位置直接重复写吗？

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    FLASH_UnlockBank1();

    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);



    FLASH_ProgramWord(addr, data);



    FLASH_LockBank1();

bit 1可以单独放电编程0，bit 0不能单独充电变成1

这点是明确的，但没明确说同个byte或word内可以把剩余不是0的再变成0。
有些芯片是支持这样重复写入的。