项目中有一个要求，需要更改一条记录数据的状态，是这样的，记录数据存在nandflash中，由于Nandflash只能进行页编程，并且是由1改成0，在写之前还得将该页进行格式化后再进行页写操作。
我用的Nandflash是一个扇区有32个页，每页是512个字节（可以单页读/写，但每次格式化都是一个扇区）。我如果想进行字修改/编程的话，我想应该方法是：先将32个页全部读入RAM中，把RAM要修改的内容进行修改，然后再格式化这个扇区，再把RAM中的数据写入到这个扇区吧。
现在我有一个想法来节约时间，不知道可以吗？
我直接读取一个页（512个字节),再将要改内容改变，（可以保证是由1改成0），再将整页写入这个页，这个时候可以成功吗？
如：11 22 33 44 FF 。。。。。。 512个字节
改成：11 22 33 44 55 。。。。。。512个字节
可以吗 |
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