中文daytasheet-DDRII SIO

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 楼主| Go_PSoC 发表于 2011-4-26 16:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 Go_PSoC 于 2011-5-5 21:17 编辑

cypress有很多产品已经有中文datasheet(隆重推出:CY中文datasheet大全 http://bbs.21ic.com/viewthread.php?tid=231186),计划把以前没有发过的近期给大家总结一下,本贴为DDRII SIO
 楼主| Go_PSoC 发表于 2011-4-26 16:53 | 显示全部楼层
CY7C1522KV18、CY7C1529KV18、CY7C1523KV18、CY7C1524KV18

最近更新:2011 年 04 月 15 日
版本:*J


72 Mbit DDR II SRAM 2 字突发架构
特性
  • 72 Mb 容量(8M x 8、8M x 9、4M x 18、2M x 36)
  • 333 MHz 时钟实现高带宽
  • 2 字突发降低地址总线频率
  • 双倍数据速率 (DDR) 接口
    (数据传输速率 666 MHz),工作频率 333 MHz
  • 两个输入时钟(K 和 K)用于精确 DDR 定时
    • SRAM 仅使用上升沿
  • 两个输入时钟用于输出数据(C 和 C),以将时钟偏移和飞行时间的不匹配降至最低
  • 回波时钟(CQ 和 CQ)简化高速系统中的数据采集
  • 同步内部自定时写入
  • 如需更多信息,请参阅 PDF 文档
功能描述
CY7C1522KV18、CY7C1529KV18、CY7C1523KV18 和 CY7C1524KV18 为采用 DDR II SIO(双倍数据传输速率单独 I/O)架构的 1.8V 同步流水线 SRAM。DDR II SIO 包含两个分立的端口:即用于访问内存阵列的读端口和写端口。读端口具有数据输出来支持读操作,写端口则具有数据输入来支持写操作。
 楼主| Go_PSoC 发表于 2011-4-26 16:54 | 显示全部楼层
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