CY7C1522KV18、CY7C1529KV18、CY7C1523KV18、CY7C1524KV18
最近更新:2011 年 04 月 15 日
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| 版本:*J
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72 Mbit DDR II SRAM 2 字突发架构
特性
- 72 Mb 容量(8M x 8、8M x 9、4M x 18、2M x 36)
- 333 MHz 时钟实现高带宽
- 2 字突发降低地址总线频率
- 双倍数据速率 (DDR) 接口
(数据传输速率 666 MHz),工作频率 333 MHz - 两个输入时钟(K 和 K)用于精确 DDR 定时
- 两个输入时钟用于输出数据(C 和 C),以将时钟偏移和飞行时间的不匹配降至最低
- 回波时钟(CQ 和 CQ)简化高速系统中的数据采集
- 同步内部自定时写入
- 如需更多信息,请参阅 PDF 文档
功能描述
CY7C1522KV18、CY7C1529KV18、CY7C1523KV18 和 CY7C1524KV18 为采用 DDR II SIO(双倍数据传输速率单独 I/O)架构的 1.8V 同步流水线 SRAM。DDR II SIO 包含两个分立的端口:即用于访问内存阵列的读端口和写端口。读端口具有数据输出来支持读操作,写端口则具有数据输入来支持写操作。
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