[电子元器件] P MOS管耐压偏低可是漏电偏大

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 楼主| 刀疤咩 发表于 2017-10-17 10:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
手头的PMOS管测了下耐压跟参数比了下偏低而且漏电偏大,为啥耐压低了漏电反而偏大了,不是应该也跟着小一点吗,麻烦懂的告诉一下,谢谢
Lgz2006 发表于 2017-10-17 17:50 来自手机 | 显示全部楼层
粗俗讲,本来就是耐压/漏电负相关嘛。细讲,我也不会。
lihui567 发表于 2017-10-17 22:05 | 显示全部楼层
耐压实际上可以这样理解,绝缘电阻小了,耐压就小,从而通过的电流就大
HWM 发表于 2017-10-18 11:25 | 显示全部楼层
“为啥耐压低了漏电反而偏大了,不是应该也跟着小一点吗”

两者原本没有必然的关系,除非考虑热击穿。但从“漏电功耗”角度看,高耐压的器件可能要求其漏电流更小,以确保其“漏电功耗”在一个可接受的范围内。

 楼主| 刀疤咩 发表于 2017-10-19 15:15 | 显示全部楼层
谢谢各位的讲解,我就是不太懂为什么耐压和漏电是负相关
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