请教过流保护问题

各位高人，我现在在做一个通过MCU控制一个直流电机的方案，其实就等同于直流固态继电器的东西，如图，A点接MCU的I/O口，M+、M-接直流电机，我需要的功能是A点为低电平时，电机走，正常这个运行时间只有2S左右，可是现在有一个问题，走的过程有可能电机会堵转，电流会升高到10A以上（正常是电流不到2A），所以我增加了电流取样和运放做比较器，来实现5A过流保护，但是这个电路不能完全保护，却只能把G点电压拉低，直到电流下降到5A为止，这样一来MOS和取样电阻温度就会急剧上升，马上烧坏。
我想问一下各位有什么办法可以实现完全关断的保护电路，我有想过用开关电源的控制芯片做PWM控制，但是这个要求控制芯片的最大占空比要有90%以上，否则到电机的电压就不到24V。

用带有回滞的电压比较器。

光耦的最大电流是受限的，发光二极管的电流为10mA左右。我自己也不明确的就是光耦的CTR（电流传送比）是不是指光耦C极的输出电流和发光二极管的电流比，如果是的话，这个电路可能没办法保证Q7饱和导通，导致G极的电压无法拉到地。
LZ把1K的R75电阻改大一点试试。
我记得MOSFET一般最高的驱动电压为20V左右。
LZ的驱动电压会不会太高了。
LZ没有加迟滞,好像也不对哦.
在输出端和同相端串一个电阻,形成正反馈,产生一个迟滞试试.

PWM要有由MCU控制而不是由LM358控制。

额           ，，，，，，，，，，，，，，，

你那个就是一个负反馈电路，当然会恒流在5A上面了
保护电路由MCU控制风险是很高的
回滞是正解。。。

请问回滞要怎么做，烦请2楼和6楼指示！

6# dan_xb
你这是害人啊！
多少人都是用MCU控制，回滞的害处才大。

你的电路Q2处于线性放大状态，发热大大地，犯了开关管的大忌。可以在比较器输出与输入+端接较大电阻（）的方法产生斩波滞后电路。

请问回滞要怎么做，烦请2楼和6楼指示！
zzk789 发表于 2011-8-30 13:44

加正反馈,同相端还要加电容,R19加大,并且并一个二极管.首先要把PWM控制的脉动的电流转成直流.
类似于峰值检测电路,使其充电快,放电慢.LZ好好算一下多长时间散热能允许重启,.

把控制三极管的集电极和光耦的集电极接一起，让光耦的电流流入控制管（即那个1K电阻，图看不清）

回滞就是引入正反馈即所谓的施密特比较器。

电机 过流 堵转 保护可以 用 PTC