请问CMOS工艺的门速度和VDD电压的关系

发表于 2011-9-21 17:00

请问CMOS工艺的门速度和VDD电压的关系，
一般适当提高VDD电压，可以提高CMOS的门速度，
但有没有人知道为什么？
我感觉这样子的话，门电平的反转时间（转换时间）变长了，
比如1.2V的提高到1.4V，那就是到1.4V才能稳定。

又和结论矛盾。。。

发表于 2011-9-26 00:46

不懂帮顶

发表于 2011-9-26 13:11

比如PC的CPU超频，如果不调高电压，一般来说跑的不会太稳定，
可以理解成管子速度跟不上，或者有亚稳态什么的情况。
然后把Core电压调高，就会比较稳定。
那原理是什么？
为啥会有这种情况。
我碰到一些嵌入式系统灾生产中批量死机的情况，调高Core电压会有一定改善，所以不懂来问。
有了解的吗？