74系列D锁存器问题,请知道的人说一下

[复制链接]
 楼主| jadetang 发表于 2008-3-20 16:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
手册上面有一个时间参数是tn,data hold time after LE为低。但是D锁存器是功能是在LE无效的时候输出Q是一直保持上一状态的,那就是说LE为低以后数据会一直保持,直到下一个LE的高电平来的时候,那这个tn的参数怎么理解呢?请有经验的人说一下。
xieyongbin 发表于 2008-3-20 16:40 | 显示全部楼层

我的理解就是

LE由低到高的瞬间(上升沿)到实际锁存输出的时间
computer00 发表于 2008-3-20 17:14 | 显示全部楼层

当你的LE变位低时,输入数据还要保持一段时间,才能锁进去

在这之前,输入数据不要变动。这个叫做保持时间。
JadeTang 发表于 2008-3-20 17:32 | 显示全部楼层

不是很同意圈圈的解释

AVR单片机对外部存储器就是要求要连接一个锁存芯片,因为低8位的地址线和8位的数据线是复用的,而对锁存芯片的要求是HCT系列不推荐,而是推荐AHCT,对于tn的要求是最少5ns,就是说这个参数越高越好咯。而楼上的解释,这个tn的是越低越好。好像矛盾了。
computer00 发表于 2008-3-20 18:20 | 显示全部楼层

不信你可以去随便下载一个D触发器的数据手册来看看

数据手册里通常有个波形图,你可以看看那个t<sub>h</sub>是什么意思。<br /><br />另外纠正一下,那个不是t<sub>n</sub>,而是t<sub>h</sub>,hold的第一个字母。
liudewei 发表于 2008-3-20 18:57 | 显示全部楼层

锁存信号有效时,锁存信号有效时,输入数据还需要保持的

00回答是对的
JadeTang 发表于 2008-3-20 21:00 | 显示全部楼层

TI的锁存器,AHCT,ACT,HCT由低级到高级是什么?

主要哪个参数提高了?请求告知。。
JadeTang 发表于 2008-3-20 21:05 | 显示全部楼层

我的理解是。

ACT,AHCT,HCT的th的参数分别是0ns,3.5ns,10ns。从这个上面看,ACT&gtAHCT&gtHCT。<br />而51单片机手册上面的那句话“接口的设计出发点是保证&nbsp;G&nbsp;拉低之后地址信号保持时间最少为&nbsp;th&nbsp;=&nbsp;5&nbsp;ns”应该是说这个5ns是对单片机的要求,而不是对锁存器的要求。所以ACT,AHCT均能满足要求。<br /><br /><br />不知道我这么想的是对的不?<br />谢谢00大大。<br />ORZ
computer00 发表于 2008-3-20 22:30 | 显示全部楼层

是的。

  
iC921 发表于 2008-3-20 22:55 | 显示全部楼层

简单一点:00说那段时间数据不要改变不妥,没有必要

那只是应用问题,不影响器件特性的本质,不提为好,或以此为前提(作为测试条件?)为好。<br /><br />--------------------<br />LE生效后(变低),数据还要等待一段时间才能在输出端建立的时间。<br /><br />总要有个先后嘛,不可能同时的。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

51

主题

108

帖子

0

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部

51

主题

108

帖子

0

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部