各路高手来看看这电路，NMOS为何会烧

[localimg=180,128]1[/localimg]原理图中B到MOS_DRIVE3和MOS_DRIVE4所经历的电路与红色框中的电路一模一样，电路中的A和B输入55kHZ~75KHZ占空比为50%/5V频率变化的方波，通过调节DA输出电压来调节MOS_DRIVE1~MOS_DRIVE4输出方波的电压在0~7.5V间变化，而控制Q1~Q4的开关导通程度，这样来调节功率。Q1和Q2同相并联、Q3和Q4同相并联是为了增大电流。
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问题：为什么Q1到Q4老是有管子烧？具体什么原因？小弟不才，请各路高手帮忙解释下什么原因，如何改进可以不烧管？
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驱动 MOS_DRIVE1~4 的电路有问题，不能实现开关快速关断。导致开关损坏太大而过热烧坏

学习谢谢