请教：MOS为什么会烧？

请教各位，如图，小MOS控制大MOS通断的方式来决定电源是否开通，大MOS经常会损坏，可能会是什么原因？通流没有问题，不知道是不是设计上有缺陷？谢谢大家指点。

需要评估一下，电源电压是多少，负载电流多大，负载电容多大。负载电容充电的能量，是否大于开关管的单次冲击能量要求。

要么过压，要么过流，从这两个方向查吧。

木叉头，MOS的GS用个电容解决，这个一般发生在上下电一瞬间休克

追加，俩MOS分开控制汇总

R2304电阻太大了，mos没有完全导通线性区损耗大。
建议把电阻改为10R试一试。

由于米勒电容的存在，在G端为开通但是DS有电源的情况下导致Qg的电荷量很大，需要吸收电路才可以，你试试在GS之间加上10K电阻看看

电源电压是多少，什么情况下损坏？

2300的MOS管，封装是SOT23的吧，承受不了短时间大电流，换大一点封装的管子。

12V的电压，不会超过5A，通流肯定够的。inrush峰值没仔细测过，有劳各位帮忙看下电路有什么general的硬伤没有

R2303短接试试，这个电阻太大，使MOS管打开过慢，从而使打开瞬间MOS内阻增大，功耗升高

可能是导通太快了，VGS加个电容，缓启动试下。

wozaihuayu 发表于 2019-7-22 17:42
R2303短接试试，这个电阻太大，使MOS管打开过慢，从而使打开瞬间MOS内阻增大，功耗升高 ...

没这个位号，你指的是R2304？谢谢

radical608 发表于 2019-7-22 23:07
可能是导通太快了，VGS加个电容，缓启动试下。

多谢，我们也在猜这个可能性

lfc315 发表于 2019-7-22 10:59
2300的MOS管，封装是SOT23的吧，承受不了短时间大电流，换大一点封装的管子。 ...

在别的近似机种（和这个电压电流上电时序等情况类似）上一直没问题，就手头这个上面问题频发。

wozaihuayu 发表于 2019-7-22 10:05
电源电压是多少，什么情况下损坏？

12V。看log是12V没过去，现场反馈换了管子就OK了。

lane50 发表于 2019-7-21 22:53
R2304电阻太大了，mos没有完全导通线性区损耗大。
建议把电阻改为10R试一试。 ...

12V*（100/110），Vgs已经10V了，应该没问题啊，还是我误解了你意思？

wozaihuayu 发表于 2019-7-22 10:05
电源电压是多少，什么情况下损坏？

12V。看log应该就是不通了，电过不去

congfenglong 发表于 2019-7-22 08:23
由于米勒电容的存在，在G端为开通但是DS有电源的情况下导致Qg的电荷量很大，需要吸收电路才可以，你试试在G ...

已经100Kohm了啊

使用示波器测试V GS电压的驱动波形，应该是开关速度慢的问题。热坏的。